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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRZM001P02T2L
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RZM001P02T2L - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RZM001P02T2L
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RZM001P02T2L
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Verpackung
VMT3
Datenblatt
1.RZM001P02T2L.pdf ...
RoHS Status
ROHS3 -konform
Unsere Zertifizierung
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Spezifikation

RZM001P02T2L Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RZM001P02T2L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RZM001P02T2L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse VMT3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 150mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-723  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100mA (Ta)  
Grundproduktnummer RZM001  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

Rzm001p02t2l

Hersteller

Lapis -Technologie

Einführung

Diskretes Halbleiterprodukt

P-Kanal-MOSFET-Transistor

Produktfunktionen und Leistung

Arbeitet bei einer Temperatur von bis zu 150 ° C

Unterstützt bis zu 20 V Drain-to-Source-Spannung

VGS -Bereich von ± 10 V

Ein-Resistenz von 3,8 Ω @ 100 mA, 4,5 V VGS

100 mA kontinuierlicher Abflussstrom bei 25 ° C

Eingabekapazität von 15PF @ 10V VDS

Maximale Leistung von 150 MW bei 25 ° C

Produktvorteile

Kompaktes SOT-723 Oberflächenmontagepaket

ROHS3 -konform

Klebeband und Rollenverpackung für die automatisierte Montage

Wichtige technische Parameter

Technologie: MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feld-Effekt-Transistor)

FET-Typ: P-Kanal

Schwellenspannung (VGS (TH)): 1 V @ 100 μA Abflussstrom

Antriebsspannungsbereich: 1,2 V (maximaler RDSON) bis 4,5 V (min rdson)

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform für die Umweltsicherheit

Kompatibilität

Allgemeine MOSFET-Anwendungen

Anwendungsbereiche

Analoge und digitale Schaltkreise mit geringer Leistung

Batteriebetriebene Geräte

Schalter und Steuerschaltungen

Produktlebenszyklus

Derzeit in aktiver Produktion

Austausch und Upgrades können in Zukunft verfügbar sein

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Kompakte Oberflächenmontagepaket

Breiter Betriebstemperaturbereich von bis zu 150 ° C

Niedrige On-Resistenz für effiziente Stromschaltungen

Klebeband und Rollenverpackung für die automatisierte Montage

ROHS3 Compliance für umweltfreundliches Design

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RZM001P02T2L.

Produkteigenschaften RZM001P02T2L RZM002P02T2L RZM002P02 T2L RZM031BN
Artikelnummer RZM001P02T2L RZM002P02T2L RZM002P02 T2L RZM031BN
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology Schneider Electric
Vgs (Max) ±10V ±10V - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 10 V 115 pF @ 10 V - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V - -
Serie - - - Harmony
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 150mW (Ta) 150mW (Ta) - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Grundproduktnummer RZM001 RZM002 - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V - -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA 1V @ 100µA - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100mA (Ta) 200mA (Ta) - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V 1.2V, 4.5V - -
Verpackung / Gehäuse SOT-723 SOT-723 - -
Typ FET P-Channel P-Channel - -
Supplier Device-Gehäuse VMT3 VMT3 - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Box

RZM001P02T2L Datenblatt PDF

Laden Sie RZM001P02T2L PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RZM001P02T2L - Rohm Semiconductor herunter.

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

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  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

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    2024/06/19

    Good comunication,
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  • Yaqu***l Ali
    2024/06/19

    Providing reasonable prices, regular follow-up of orders, providing accurate and regular invoices, timely delivery of goods, excellent customer service and providing original goods and best quality materials.

  • Lea ***
    2024/06/19

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Japan 4
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