Hersteller Teilnummer
CSD16415Q5
Hersteller
Texas Instrumente
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem kleinen 8-Powertdfn-Paket
Teil der NEXFET -Produktreihe
Produktfunktionen und Leistung
Arbeitet im Temperaturbereich von -55 ° C bis 150 ° C
Drain-to-Source-Spannung (VDSS) von 25 V
Gate-to-Source-Spannung (VGS) von +16 V bis -12 V
Sehr niedrige On-Resistenz (RDS (ON)) von 1,15 mΩ bei 40a, 10 V
Durchgangsabflussstrom (ID) von 100a bei 25 ° C
Niedrige Eingangskapazität (CISS) von 4100PF bei 12,5 V
Maximale Leistung (PD) von 3,2 W bei 25 ° C
Produktvorteile
Ausgezeichnete thermische und elektrische Leistung in einem kompakten Paket
Geeignet für hochstromige Stromumrechnungsanwendungen mit hoher Effizienz
Niedrige On-Resistenz für eine verbesserte Energieeffizienz
Breiter Betriebstemperaturbereich für verschiedene Anwendungen
Wichtige technische Parameter
MOSFET-Technologie: N-Kanal
Schwellenspannung (VGS (TH)): 1,9 V bei 250a
Antriebsspannungsbereich: 4,5 V (min RDS (ON)) bis 10 V (maximale RDS (ON)))
Gate -Ladung (QG): 29nc bei 4,5 V
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Geeignet für leitfreie und halogenfreie Anwendungen
Kompatibilität
Oberflächenmontagepaket (8-Powertdfn)
Kompatibel mit Standard -SMT -Montageprozessen
Anwendungsbereiche
Hocheffiziente Leistungsumwandlung
Motor fährt
Schaltmodus-Netzteile
Wechselrichter
Industrie- und Automobilelektronik
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produktionsmodell
Keine unmittelbaren Pläne zur Absage
Austausch- oder Upgrade -Optionen können in Zukunft verfügbar sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Außergewöhnliche elektrische und thermische Leistung in einem kompakten Paket
Hocheffiziente Leistungsumwandlung mit geringem Auftragsresistenz
Vielseitiger Betriebstemperaturbereich für verschiedene Anwendungen
Kompatibilität mit standardmäßigen Oberflächenmontage -Montageprozessen
ROHS3-Konformität für den Einsatz in leitfreien und halogenfreien Umgebungen
