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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD17551Q5A
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CSD17551Q5A - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD17551Q5A
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD17551Q5A
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 48A 8VSON
Verpackung
8-VSONP (5x6)
Datenblatt
-
RoHS Status
ROHS3 -konform
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 77200
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Spezifikation

CSD17551Q5A Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD17551Q5A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD17551Q5A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-VSONP (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 11A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1272 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc)  
Grundproduktnummer CSD17551  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

CSD17551Q5A

Hersteller

Texas Instrumente

Einführung

Der CSD17551Q5A ist ein Hochleistungs-N-Kanal-Nexfet-MOSFET von Texas Instruments.Es ist für verschiedene Stromumrechnungs- und Steuerungsanwendungen ausgelegt.

Produktfunktionen und Leistung

30 V Drain-to-Source-Spannung (VDSS)

8mΩ On-Resistenance (RDS (ON)) bei 11a, 10 V

48a kontinuierlicher Abflussstrom (ID) bei 25 ° C

Niedrige Eingangskapazität (CISS) von 1272PF bei 15 V

3W -Leistungsdissipation (PD) bei 25 ° C

Produktvorteile

Hervorragende Leistung in Bezug auf niedrige Einflüsse, hohe Strom und niedrige Eingangskapazität

Geeignet für hochfrequente, hocheffiziente Leistungsumwandlungsanwendungen

Effiziente Wärmeabteilung aufgrund des fortschrittlichen Paketdesigns

Wichtige technische Parameter

MOSFET-Technologie: N-Kanal

Schwellenspannung (VGS (TH)): 2,2 V bei 250a

Gatespannung (VGS): ± 20 V

Betriebstemperaturbereich: -55 ° C bis 150 ° C

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Geeignet für Reflow -Löten

Kompatibilität

Kompatibel mit verschiedenen Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen

Anwendungsbereiche

Schaltmodus-Netzteile

Motor fährt

Beleuchtungs- und industrielle Steuerungssysteme

Kfz -Elektronik

Produktlebenszyklus

Derzeit in Produktion

Keine unmittelbaren Pläne zur Absage

Austausch- oder Upgrade -Optionen können in Zukunft verfügbar sein

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Hervorragende Leistungsmerkmale, einschließlich geringer Aufnahmebereich, hoher Stromfähigkeiten und niedriger Eingangskapazität

Geeignet für hochfrequente, hocheffiziente Leistungsumwandlungsanwendungen

Effiziente Wärmeabteilung aufgrund des fortschrittlichen Paketdesigns

Zuverlässig und ROHS3 -konform

Kompatibilität mit einer Vielzahl von Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD17551Q5A.

Produkteigenschaften CSD17551Q5A 1206CA101KAZ1A
Artikelnummer CSD17551Q5A 1206CA101KAZ1A
Hersteller Texas Instruments KYOCERA AVX
Serie NexFET™ FLEXITERM®
Grundproduktnummer CSD17551 -
Supplier Device-Gehäuse 8-VSONP (5x6) -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 1206 (3216 Metric)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Typ FET N-Channel -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 125°C
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1272 pF @ 15 V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2 nC @ 4.5 V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount, MLCC
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA -
FET-Merkmal - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 11A, 10V -
Vgs (Max) ±20V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V -
Verlustleistung (max) 3W (Ta) -

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

    Good comunication,
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  • Yaqu***l Ali
    2024/06/19

    Providing reasonable prices, regular follow-up of orders, providing accurate and regular invoices, timely delivery of goods, excellent customer service and providing original goods and best quality materials.

  • Lea ***
    2024/06/19

    Morrey was very helpful and right on top of things!
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
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Italien 5
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Japan 4
Naher Osten Israel 6
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