Hersteller Teilnummer
CSD18533Q5AT
Hersteller
Texas Instrumente
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor für Stromverwaltung und Steuerungsanwendungen.
Produktfunktionen und Leistung
60 V Drain-Source-Spannung
9 MΩ Maximal On-Resistenz bei 18a, 10 V
17a kontinuierlicher Abflussstrom bei 25 ° C Umgebungstemperatur
100A kontinuierlicher Abflussstrom bei 25 ° C -Falltemperatur
2750 PF Maximale Eingangskapazität bei 30 V
2W maximale Leistungsdissipation bei 25 ° C Umgebungstemperatur
116W maximale Leistungsdissipation bei 25 ° C -Falltemperatur
-55 ° C bis 150 ° C Betriebstemperaturbereich
Produktvorteile
Extrem geringe Aufnahmebereich für hohe Effizienz
Hochstromabrechnungsfähigkeit
Kompakt 8-VSONP (5x6) Paket
Geeignet für hochfrequente Anwendungen mit Hochleistungsdichte
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 60 V
Gate-Source-Spannung (VGS): ± 20 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 5,9 MΩ @ 18a, 10 V
Abflussstrom (ID): 17A (Umgebung), 100a (Fall)
Eingangskapazität (CISS): 2750 PF @ 30V
Leistungsdissipation: 3.2W (Umgebungsdauer), 116W (Fall)
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
MOSFET -Technologie für zuverlässigen Betrieb
Kompatibilität
Geeignet für den Einsatz in der Stromverwaltung, zur Motorkontrolle und in anderen Hochleistungsschaltanwendungen
Anwendungsbereiche
Netzteile
Motor fährt
Industrieautomatisierung
Telekommunikationsgeräte
Kfz -Elektronik
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist eine aktive und weit verbreitete MOSFET -Lösung von Texas Instruments.
Austausch- oder verbesserte Produkte können in Zukunft im Laufe der Technologie erhältlich sein.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hervorragende Effizienz aufgrund von extrem geringem Auftragsresistenz
Hohe aktuelle Handhabungsfähigkeit für anspruchsvolle Anwendungen
Kompakte Paketgröße für platzbeschränkte Designs
Breiter Betriebstemperaturbereich für robuste Leistung
Zuverlässige MOSFET -Technologie eines vertrauenswürdigen Herstellers
CSD1853405ATexas Instruments