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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD25401Q3
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CSD25401Q3 - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD25401Q3
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD25401Q3
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 14A/60A 8VSON
Verpackung
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Datenblatt
1.CSD25401Q3.pdf ...
RoHS Status
ROHS3 -konform
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 4690

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Spezifikation

CSD25401Q3 Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD25401Q3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD25401Q3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.7mOhm @ 10A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.3 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 60A (Tc)  
Grundproduktnummer CSD2540  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

CSD25401Q3

Hersteller

Texas Instrumente

Einführung

Hochleistungs-P-Kanal-MOSFET-Transistor für Leistungsmanagement- und Kontrollanwendungen

Produktfunktionen und Leistung

Niedrige vor Ort für hohe Effizienz

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Robustes und zuverlässiges Design

Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 150 ° C

Produktvorteile

Ausgezeichnetes thermisches Management

Optimiert für Hochfrequenzwechsel

Zuverlässige Leistung in harten Umgebungen

Wichtige technische Parameter

Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 20V

Maximale Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 12 V

On-Resistenz (RDS (ON)): 11,7 mΩ @ 10a, 4,5 V

Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 14A (TA), 60A (TC)

Eingangskapazität (CISS): 1400PF @ 10V

Leistungsdissipation (max): 2,8 W (TA)

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Stabiler 8-VSON-Clip (3.3x3.3) Paket

Kompatibilität

Geeignet für eine Vielzahl von Stromverwaltungs- und Steuerungsanwendungen

Anwendungsbereiche

Schaltmodus-Netzteile

Motor fährt

Machtverstärker

Batterieladegeräte

Produktlebenszyklus

Derzeit verfügbar, keine Absachen- oder Ersatzpläne

Mehrere wichtige Gründe, um dieses Produkt auszuwählen

Ausgezeichnete Leistungseffizienz aufgrund von geringer Aufteilung

Schnelle Schaltgeschwindigkeit für Hochfrequenzanwendungen

Robustes Design für zuverlässige Leistung in harten Umgebungen

Vielseitige Kompatibilität für verschiedene Stromverwaltungs- und Kontrollanforderungen

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD25401Q3.

Produkteigenschaften CSD25401Q3 MC9S08GT16CFB
Artikelnummer CSD25401Q3 MC9S08GT16CFB
Hersteller Texas Instruments Freescale Semiconductor
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 60A (Tc) -
Supplier Device-Gehäuse 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 44-QFP (10x10)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.7mOhm @ 10A, 4.5V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 10 V -
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta) -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk
Vgs (Max) ±12V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 44-QFP
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 85°C (TA)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.3 nC @ 4.5 V -
Grundproduktnummer CSD2540 MC9S08
Typ FET P-Channel -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V -
Serie NexFET™ S08
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA -
FET-Merkmal - -

CSD25401Q3 Datenblatt PDF

Laden Sie CSD25401Q3 PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für CSD25401Q3 - Texas Instruments herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 20/Feb/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site Revision C 09/Feb/2015.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
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  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

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  • Uri ***al
    2024/06/19

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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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