Hersteller Teilnummer
Tps51116rget
Hersteller
Texas Instrumente
Einführung
Integrierter Schaltkreis für Stromverwaltungsanwendungen
Produktfunktionen und Leistung
Controller für den DDR -Speicher
Eingangsspannungsbereich von 3 V bis 28 V
Multi-Output-Spannungsoptionen
Breiter Betriebstemperaturbereich von -40 ° C bis 85 ° C
Oberflächenmontage -Technologie
24-VFQFN Exposed Pad Paket für eine verbesserte thermische Leistung
Erhältlich in Band- und Reel -Verpackung für die automatisierte Montage
Produktvorteile
Vielseitige Spannungsregelung für DDR -RAM
Hohe Integration für vereinfachtes Design
Unterstützt verschiedene DDR -Generationen
Kompaktes VFQFN-Paket für platzsparende Anwendungen
Wichtige technische Parameter
Einzelausgangsspannungsregler
Eingangsspannungsbereich: 3 V bis 28 V
Ausgangsspannungsoptionen: 1,2 V, 1,35 V, 1,5 V, 1,8 V, 2,5 V, einstellbar
Betriebstemperaturbereich: -40 ° C bis 85 ° C
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
Eingebauter Übertemperaturschutz
Branchenstandard-Qualitätskonformität
Kompatibilität
Unterstützt DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4 -Speichermodule
Anwendungsbereiche
Motherboards
Computersysteme
Speichermodule
Eingebettete Systeme
Produktlebenszyklus
Aktiver Produktstatus
Nicht kurz vor der Abnahme
Ersatz- und Upgrade -Optionen verfügbar
Mehrere wichtige Gründe, um dieses Produkt auszuwählen
Integriert nahtlos in mehrere DDR -Generationen
Hochflexible Spannungsregulierung
Nachgewiesene Leistung bei Computer- und Speicheranwendungen
Hergestellt von einem anerkannten Leiter in Semiconductor -Lösungen
Geeignet für die Produktion mit Hochvolumien mit Klebeband- und Rollverpackung