Hersteller Teilnummer
UCC27210ddar
Hersteller
Texas Instrumente
Einführung
UCC27210DDAR ist ein hochfrequenter, leistungsstarker Halbbrücken-Gate-Treiber, der speziell für das Umschalten von N-Kanal-MOSFETs ausgelegt ist und in Stromverwaltungsanwendungen verwendet wird.
Produktfunktionen und Leistung
Fährt zwei N-Kanal-MOSFET-Tore in einer Halbbrückenkonfiguration an
Versorgungsspannungsbereich von 8 V bis 17 V.
Unterstützt logische Schwellenwerte mit VIL bei 2,4 V und VIH bei 5,9 V
In der Lage, 4A -Spitzenstrom zu beschaffen und zu sinken
Nicht invertierender Eingangstyp
Hohe Seitenspannung kann bis zu 120 V sein (Bootstrap)
Schneller Wechsel mit Anstiegszeit von 7,2 Ns und Sturzzeit von 5,5 Ns
Produktvorteile
Ermöglicht eine effiziente Leistungsumwandlung mit robuster Antriebsfunktion und schneller Schaltzeiten
Kompatibel mit einer Vielzahl von Versorgungsspannungen und Logikwerten
Hoher Spitzenstrom verbessert die Antriebsstärke
Die Spannungsfähigkeit mit hoher Bootstrap-Funktion ermöglicht die Verwendung in hochseitigen Gate-Antriebsanwendungen
Wichtige technische Parameter
Anzahl der Treiber: 2
Spannungsversorgung: 8 V ~ 17 V
Logikspannung Vil, VIH: 2,4 V, 5,9 V
Stromspitzenausgang (Quelle, Senke): 4a, 4a
Hohe Seitenspannung Max (Bootstrap): 120 V.
Anstieg / Fallzeit (Typ): 7,2ns, 5,5 ns
Betriebstemperatur: -40 ° C ~ 140 ° C
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
Arbeitet zuverlässig über einen weiten Temperaturbereich von -40 ° C bis 140 ° C
Integrierte Unterspannungssperrung für eine verbesserte Sicherheit
Kompatibilität
Geeignet zum Fahren von N-Kanal-MOSFets
Kompatibel mit verschiedenen logischen Schnittstellen aufgrund einstellbarer VIL- und Vih -Werte
Anwendungsbereiche
Verwendet in Stromumrechnungssystemen
Geeignet für Motorantriebe, Stromwechselrichter und Schaltnetzmittel
Produktlebenszyklus
Aktueller Produktstatus: Letzter Kaufen
Achten Sie auf die letzten Kaufmöglichkeiten, da kein direkter Ersatz angegeben ist
Mehrere wichtige Gründe, um dieses Produkt auszuwählen
Hohe Zuverlässigkeit und Leistung in Stromverwaltungsanwendungen
Flexible Logikkompatibilität unterstützt eine Vielzahl von Steuerungssystemen
Hochstromfähige Fähigkeiten erleichtern ein robustes MOSFET -Fahren
Der breite Temperaturbereich sorgt für einen stabilen Betrieb unter extremen Bedingungen
Geeignet für komplexe Hochspannungsanwendungen mit bis zu 120 V hoher Seitenspannungsfähigkeit
