Hersteller Teilnummer
UCC27211DPRT
Hersteller
Texas Instrumente
Einführung
Hochgeschwindigkeits-, duale MOSFET-Treiber mit niedriger Seite mit 4A-Quellen-/Sink-Fähigkeit
Produktfunktionen und Leistung
Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Treiber mit 7,2 Ns steigen und 5,5 Ns-Sturzzeiten
In der Lage, zwei unabhängige N-Kanal-MOSFETs zu fahren
4A Peak Source- und Sinkstromfähigkeit
Breit 8 bis 17 V Betriebsspannungsbereich
Interne Bootstrap-Diode für High-Side-Antrieb
Niedriger Ruhestrom von 250 μA
Wärmeabschließung und Unterspannungssperrschutz
Produktvorteile
Robuste und zuverlässige Leistung
Effiziente Stromversorgung
Kompaktes und platzsparendes Design
Thermal- und Spannungsschutzmerkmale
Wichtige technische Parameter
Spannungsbereich: 8 V bis 17 V
Anstieg/Fallzeit: 7,2ns/5,5 ns
Spitzenausgangsstrom: 4A -Quelle, 4A -Spüle
High-Side-Spannung Max (Bootstrap): 120 V
Logikspannungsschwellen: 1,3 V (VIL), 2,7 V (VIH)
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Wärmeabschließung und Unterspannungssperrschutz
Kompatibilität
Kompatibel mit verschiedenen N-Kanal-MOSFET-Konfigurationen
Anwendungsbereiche
Schaltmodus-Netzteile
Motorkontrolle
Beleuchtungssteuerung
Industrieautomatisierung
Kfz -Elektronik
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist derzeit verfügbar und nähert sich nicht nähert sich ab.
Austausch- oder Upgrade -Optionen können bei Texas Instruments erhältlich sein.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochgeschwindigkeits- und Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Fahrkapazitäten
Breites Betriebsspannungsbereich und robuste Schutzmerkmale
Kompaktes und räumlich effizientes Design
Zuverlässige und nachgewiesene Leistung eines vertrauenswürdigen Herstellers
UCC27211DDATexas Instruments