Hersteller Teilnummer
2N2907AUB
Hersteller
Mikrochip -Technologie
Einführung
Diskretes Halbleiterprodukt
Bipolarer Übergangstransistor (BJT), Single
Produktfunktionen und Leistung
ROHS nicht konform
Herstellerverpackung: UB
Grundproduktnummer: 2N2907
Paket / Fall: 3-smd, kein Lead
Lieferantengerätepaket: UB
Paket: Bulk
Betriebstemperatur: -65 ° C ~ 200 ° C (TJ)
Power max: 500 MW
Spannungskollektoremittererbruch (max): 60 V
Aktueller Sammler (IC) (max): 600 mA
Strom Collector Cutoff (MAX): 50NA
VCE -Sättigung (max) @ ib, IC: 1,6 V @ 50 mA, 500 mA
Transistortyp: PNP
Gleichstromverstärkung (HFE) (min) @ IC, VCE: 100 @ 150 mA, 10V
Montagetyp: Oberflächenhalterung
Produktvorteile
Hochleistungsbeschaffungskapazität
Hochspannungs- und Strombewertungen
Niedrige Sättigungsspannung
Stabile und zuverlässige Leistung
Wichtige technische Parameter
Leistungsbewertung: 500 MW
Spannungsbewertung: 60 V
Aktuelle Bewertung: 600 mA
Transistortyp: PNP
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS nicht konform
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl elektronischer Anwendungen
Anwendungsbereiche
Geeignet für die Verwendung in verschiedenen elektronischen Schaltungen und Geräten
Produktlebenszyklus
Die Verfügbarkeit von Ersatz- oder verbesserten Modellen kann aufgrund des Alters des Produkts begrenzt sein
Mehrere wichtige Gründe, um dieses Produkt auszuwählen
Hochleistungsbeschaffungskapazität
Breiter Betriebstemperaturbereich
Stabile und zuverlässige Leistung
Geeignet für eine Vielzahl elektronischer Anwendungen


2N2913ASolid State Inc.TO 78 DUAL SILICON TRANSISTORS N
2N2907CSTMicroelectronics