Hersteller Teilnummer
2N3700UB
Hersteller
Mikrochip -Technologie
Einführung
Diskretes Halbleiterprodukt
Bipolarer Übergangstransistor (BJT), Single
Produktfunktionen und Leistung
Arbeitet in einem Temperaturbereich von -65 ° C bis 200 ° C (TJ)
Maximale Leistung Dissipation: 500 MW
Maximal Collector-Emitter-Breakdown-Spannung: 80 V
Maximaler Sammlerstrom: 1 a
Maximaler Sammler Cutoff Strom: 10 Na
Collector-Emitter-Sättigungsspannung: 500 mV @ 50 mA, 500 mA
Minimum DC -Stromverstärkung (HFE): 50 @ 500 mA, 10 V.
Oberflächenhalterung
Produktvorteile
Breiter Betriebstemperaturbereich
Hochleistungshandhabungsfähigkeit
Hohe Breakdown -Spannung
Hoher Sammlerstromkapazität
Niedriger Sammler -Cutoff -Strom
Niedrige Sammler-Emitter-Sättigungsspannung
Geeignet für Anwendungen zur Oberflächenmontage
Wichtige technische Parameter
Stromversorgung: 500 MW
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung: 80 V
Sammlerstrom: 1 a
Collector Cutoff Current: 10 Na
Collector-Emitter-Sättigungsspannung: 500 mV @ 50 mA, 500 mA
Gleichstromverstärkung (HFE): 50 @ 500 mA, 10 V.
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS nicht konform
Kompatibilität
Kompatibel mit verschiedenen elektronischen Schaltungen und Anwendungen
Anwendungsbereiche
Geeignet für die Verwendung in einer Vielzahl von elektronischen Geräten und Schaltungen wie Verstärkern, Schalter und Netzteilen
Produktlebenszyklus
Bestehendes Produkt, nicht kurz vor dem Absetzen
Austausch- oder Upgrade -Optionen können verfügbar sein
Mehrere wichtige Gründe, um dieses Produkt auszuwählen
Breiter Betriebstemperaturbereich
Hochleistungshandhabungsfähigkeit
Hohe Breakdown -Spannung
Hoher Sammlerstromkapazität
Niedriger Sammler -Cutoff -Strom
Niedrige Sammler-Emitter-Sättigungsspannung
Geeignet für Anwendungen zur Oberflächenmontage

2N3700Solid State Inc.TRANS NPN 80V 1A TO18
2N3700STMicroelectronicsTRANS NPN 80V 1A TO18