- Jess***Jones
- 2026/04/17
PCN -Baugruppe/Herkunft
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| Anzahl | Einzelpreis | Zwischensumme Preis |
|---|---|---|
| 1+ | $58.241 | $58.24 |
2N5303 Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - 2N5303 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - 2N5303
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | Microchip Technology | |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 80 V | |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 4A, 20A | |
| Transistor-Typ | NPN | |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-204AD (TO-3) | |
| Serie | - | |
| Leistung - max | 5 W | |
| Verpackung / Gehäuse | TO-204AA, TO-3 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Paket | Bulk | |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Frequenz - Übergang | - | |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 15 @ 10A, 2V | |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 10µA | |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 20 A | |
| Grundproduktnummer | 2N5303 |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | RoHS nicht konform |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology 2N5303.
| Produkteigenschaften | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | 2N5303 | 2N5303 PBFREE | 2N5306_D74Z | 2N5307 |
| Hersteller | NTE Electronics, Inc | Central Semiconductor Corp | onsemi | onsemi |
| Transistor-Typ | - | - | - | - |
| Serie | - | - | - | - |
| Leistung - max | - | - | - | - |
| Frequenz - Übergang | - | - | - | - |
| Verpackung / Gehäuse | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | - | - | - | - |
| Betriebstemperatur | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | - | - | - | - |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | - | - | - | - |
| Grundproduktnummer | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Paket | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Befestigungsart | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | - | - | - | - |
| Supplier Device-Gehäuse | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | - | - | - | - |
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2N5289Microchip TechnologyPOWER BJT
2N5301NTE Electronics, IncTRANS NPN 40V 30A TO3
2N5303NTE Electronics, IncTRANS NPN 80V 20A TO3
2N5301Microchip TechnologyNPN TRANSISTOR
2N5290Microchip TechnologyPOWER BJT
2N5302Microchip TechnologyNPN TRANSISTOR
2N5291Microchip TechnologyPOWER BJTIhre E -Mail -Adresse wird nicht veröffentlicht.
| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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