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Integration 13/May/2020.pdfAPT102GA60B2 Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT102GA60B2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT102GA60B2
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | Microchip Technology | |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V | |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 62A | |
| Testbedingung | 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V | |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 28ns/212ns | |
| Schaltenergie | 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) | |
| Serie | POWER MOS 8™ | |
| Leistung - max | 780 W | |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 Variant |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Paket | Tube | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Eingabetyp | Standard | |
| IGBT-Typ | PT | |
| Gate-Ladung | 294 nC | |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 307 A | |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 183 A | |
| Grundproduktnummer | APT102 |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT102GA60B2.
| Produkteigenschaften | ![]() |
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|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | APT102GA60B2 | APT100GT60B2RG | APT102GA60L | APT100S20LCTG |
| Hersteller | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Leistung - max | 780 W | 500 W | 780 W | - |
| Befestigungsart | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 183 A | 148 A | 183 A | - |
| Eingabetyp | Standard | Standard | Standard | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V | 600 V | 600 V | - |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 Variant | TO-247-3 Variant | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 62A | 2.5V @ 15V, 100A | 2.5V @ 15V, 62A | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 28ns/212ns | 40ns/320ns | 28ns/212ns | - |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 307 A | 300 A | 307 A | - |
| IGBT-Typ | PT | NPT | PT | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| Schaltenergie | 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) | 3.25mJ (on), 3.125mJ (off) | 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) | - |
| Grundproduktnummer | APT102 | APT100 | APT102 | APT100S20 |
| Gate-Ladung | 294 nC | 460 nC | 294 nC | - |
| Paket | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Serie | POWER MOS 8™ | Thunderbolt IGBT® | - | - |
| Testbedingung | 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V | 400V, 100A, 4.3Ohm, 15V | 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V | - |
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APT100S20LCTGMicrochip TechnologyDIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264
APT105-R95MOGAPT
APT106N60LC6Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 106A TO264
APT10M07JVFRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP
APT100S20BMicrosemi
APT100GT60B2RGMicrochip TechnologyIGBT 600V 148A 500W SOT247
APT106N60B2C6Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 106A T-MAX
APT102GA60LMicrochip TechnologyIGBT 600V 183A 780W TO264
APT100S20BGMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247
APT10M09B2VFRGMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
APT10M07APTIGBT ModuleIhre E -Mail -Adresse wird nicht veröffentlicht.
| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
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|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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