Hersteller Teilnummer
APT10M11JVFR
Hersteller
Mikrochip -Technologie
Einführung
Hochleistungsstarke N-Kanal-Leistungs-MOSFET, die für effiziente Leistungsumwandlungs- und Kontrollanwendungen ausgelegt sind.
Produktfunktionen und Leistung
Drain-to-Source-Spannung (VDSS) von 100 V
Ultra-niedriger On-Resistenz (RDS (ON)) von 11mΩ @ 500A, 10 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID) von 144a bei 25 ° C
Hocheingangskapazität (CISS) von 10.380PF @ 25 V
Niedrige Gate -Ladung (QG) von 450NC @ 10V
N-Kanal-MOSFET-Technologie
Produktvorteile
Hervorragende Effizienz und thermische Leistung
Verbesserte Leistungsdichte und reduzierte Energieverluste
Geeignet für hochstromige Hochspannungsanwendungen
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 100 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 11mΩ @ 500A, 10 V
Durchgangsabflussstrom (ID): 144a bei 25 ° C
Eingangskapazität (CISS): 10.380PF @ 25V
Gate Ladung (QG): 450NC @ 10V
FET-Typ: N-Kanal-MOSFET
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Die hochwertigen Herstellungsstandards von Microchip
Kompatibilität
Kompatibel mit verschiedenen Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Umwandlung und Kontrolle mit Hochspannungsleistung mit hoher Strömung
Wechselrichter, Motorantriebe und andere Leistungselektronik
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt wird immer noch aktiv von der Microchip -Technologie unterstützt
Ersatz- oder Upgrade -Optionen sind bei Microchip erhältlich
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete Effizienz und thermische Leistung für eine verbesserte Leistungsdichte
Ultra-niedrige On-Resistenz bei reduzierten Energieverlusten
Hochstrom- und Spannungshandhabungsfähigkeiten
Robustes und zuverlässiges Design für anspruchsvolle Anwendungen
Kompatibilität mit einer Vielzahl von Leistungselektroniksystemen
APT10M19BVRGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 75A TO247
APT10M19BVRVBSEMI