Hersteller Teilnummer
APT150GN120J
Hersteller
Mikrochip -Technologie
Einführung
Hochleistungs-integriertes Leistungsmodul für Industrie- und Leistungselektronikanwendungen
Produktfunktionen und Leistung
Grabenfield Stop IGBT -Technologie
Integrierte antiparallele Freilaufdiode
Niedrige Leitung und Schaltverluste
Optimierter thermischer Widerstand
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 150 ° C
Produktvorteile
Kompaktes und robustes Paketdesign
Effiziente Leistungsumwandlung
Zuverlässiger und langlebiger Betrieb
Wichtige technische Parameter
Spannungskollektoremittererbruch (MAX): 1200 V.
Stromsammler (IC) (max): 215 a
VCE (ON) (max) @ vge, IC: 2.1V @ 15V, 150a
Power max: 625 w
Eingabekapazität (Cies) @ VCE: 9.5 NF @ 25 V.
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
ISOTOP -Paket für eine verbesserte thermische Leistung und Zuverlässigkeit
Kompatibilität
Geeignet für Industrie- und Stromerziehungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Motor fährt
Netzteile
Erneuerbare Energiesysteme
Schweißausrüstung
Induktionsheizung
Produktlebenszyklus
Derzeit in aktiver Produktion
Austausch und Upgrades können in Zukunft verfügbar sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Effiziente Leistungsumwandlung mit geringer Leitung und Schaltverlusten
Breiter Betriebstemperaturbereich für zuverlässigen Betrieb
Kompaktes und robustes Paketdesign für industrielle Anwendungen
Optimierte thermische Leistung für eine verbesserte Zuverlässigkeit
ROHS3 Compliance für die Umweltverantwortung
APT14M100SMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
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