Hersteller Teilnummer
APT200GN60J
Hersteller
Mikrochip -Technologie
Einführung
Der APT200GN60J ist ein Hochleistungs-IGBT-Modul (isoliertes Gate Bipolar Transistor) aus der Microchip-Technologie, einem führenden Hersteller von Halbleiterlösungen.
Produktfunktionen und Leistung
Grabenfield Stop IGBT -Technologie
Standardeingangskonfiguration
Single-Chip-Design
Hochleistungsdichte von bis zu 682 W.
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 175 ° C (TJ)
Niedrige Eingangskapazität von 14,1 NF @ 25 V.
Hochkollektor-Emitter-Breakdown-Spannung von 600 V.
Hoher Sammlerstrom Rating von 283 a
Low Collector-Emitter-Sättigungsspannung von 1,85 V @ 15 V, 200 a
Produktvorteile
Ausgezeichnete Leistungsfähigkeitsfunktionen
Zuverlässige und effiziente Leistung
Kompaktes und platzsparendes Design
Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen
Wichtige technische Parameter
IGBT -Typ: Grabenfeld Stopp
Eingabe: Standard
Konfiguration: Single
Eingabekapazität (Cies) @ VCE: 14.1 NF @ 25 V.
Spannungskollektoremittererbruch (MAX): 600 V.
NTC Thermistor: nein
Stromsammler (IC) (max): 283 a
VCE (ON) (max) @ vge, IC: 1,85V @ 15V, 200a
Aktueller Sammler Cutoff (max): 25 a
Montagetyp: Chassis -Mount
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Herstellerverpackung: Isotop
Kompatibilität
Isotop -Paket
Anwendungsbereiche
Geeignet für den Einsatz in einer Vielzahl von Leistungselektronikanwendungen, wie z. B. Motorantriebe, Wechselrichter und Leistungsumwandlungssysteme.
Produktlebenszyklus
Der APT200GN60J ist derzeit ein aktives Produkt und nähert sich nicht dem Absetzen.Austausch und Upgrades können in Zukunft verfügbar sein, wenn sich die Technologie entwickelt.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochleistungsdichte und effiziente Leistung
Zuverlässiges und robustes Design für anspruchsvolle Anwendungen
Breiter Betriebstemperaturbereich für vielseitige Verwendung
Kompakte und platzsparende Verpackungen
ROHS3 Compliance für ökologische Nachhaltigkeit
APT18M100SMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 18A D3PAK
APT2012ID-ATKingbright
APT18F60SMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 600V 19A D3PAK
APT2012-ADE47KINGBRIGH