Hersteller Teilnummer
APT2X60DQ120J
Hersteller
Mikrochip -Technologie
Einführung
Hochleistungs-Diodenarray mit schneller Recovery-Gleichrichter
Produktfunktionen und Leistung
2 unabhängige Gleichrichterdioden in einem einzigen Paket
Extrem niedriger Vorwärtsspannungsabfall
Extrem schnelle Rückkehrerwiederherstellungszeit
Hoher durchschnittlicher korrigierter Strom pro Diode
Hohe Rückspannungsbewertung
ROHS3 -konform
Produktvorteile
Verbesserte Effizienz und reduzierte Stromverluste
Kompaktes und platzsparendes Design
Zuverlässige Leistung in Hochleistungsanwendungen
Wichtige technische Parameter
Strom umgekehrt Leckage @ VR: 100 a @ 1200 V
Spannung vorwärts (VF) (max) @ if: 3.1 v @ 60 a
Reverse Recovery Time (TRR): 265 ns
Spannung DC Reverse (VR) (max): 1200 V
Strom Durchschnitt behoben (IO) (pro Diode): 60A
Diodenkonfiguration: 2 unabhängig
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Qualität und Zuverlässigkeit der Mikrochip -Technologie
Kompatibilität
Chassis Mount -Paket für einfache Installation
Anwendungsbereiche
Hochleistungsschalter-MODE-Stromversorgungen
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Ladegeräte für Elektrofahrzeuge
Industriemachtelektronik
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produktionsmodell, keine Pläne für den Absetzen
Bei Bedarf Ersatz- und Upgrade -Optionen verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hervorragende Effizienz und Leistungsdichte
Extrem schnelle umgekehrte Wiederherstellung für eine verbesserte Leistung
Hohe Zuverlässigkeit und lange Lebensdauer
Kompaktes und leicht integriertes Design
Einhaltung der relevanten Sicherheits- und Umweltstandards
APT2X61D06JAPTIGBT Module
APT2X60S60JMicrosemiIGBT Module