Hersteller Teilnummer
APT35GP120JDQ2
Hersteller
Mikrochip -Technologie
Einführung
Bipolarer Transistor (IGBT) -Modul mit Hochleistungs-Hochleistungs-Isoliergate
Entwickelt für Hochleistungsanwendungen, hocheffiziente Anwendungen
Produktfunktionen und Leistung
Optimiert für niedrige Leitungs- und Schaltverluste
Hohe Stromfähigkeit bis zu 64a
Spannungsbewertung bis zu 1200 V
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 150 ° C
Schneller Umschalten mit niedriger Gate-Emitter-Ladung
Produktvorteile
Effiziente Leistungsumwandlung mit geringen Verlusten
Zuverlässige Leistung in Hochleistungs-Hochtemperaturanwendungen
Kompakt und einfach zu integrieren Design
Wichtige technische Parameter
IGBT-Typ: PT (Punch-Through)
Eingabekonfiguration: Single
Eingabekapazität: 3.24nf @ 25v
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung: 1200 V
Sammlerstrom (max): 64a
Collector-Emitter-Sättigungsspannung: 3,9 V @ 15V, 35A
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
ISOTOP -Paket für ein verbessertes thermisches Management und Zuverlässigkeit
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von Hochleistungs-Hochspannungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Wechselrichter
Konverter
Motor fährt
Schweißausrüstung
Industrieunternehmen
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist derzeit in Produktion und erhältlich zum Kauf erhältlich
Austausch- oder Upgrade -Optionen können in Zukunft verfügbar sein, wenn sich die Technologie entwickelt
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete Leistungseffizienz und Leistung
Zuverlässiges und robustes Design für Hochleistungs-Hochtemperaturanwendungen
Einfache Integration und kompakter Fußabdruck
Umfangreiche Anwendungsunterstützung und langfristige Verfügbarkeit
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