Hersteller Teilnummer
APT47GA60JD40
Hersteller
Mikrochip -Technologie
Einführung
Hochleistungs-integriertes IGBT-Modul für industrielle Anwendungen entwickelt
Produktfunktionen und Leistung
Optimiert für schnelles Schalten und hohe Effizienz
Kompaktes Isotop -Paket mit geringem thermischen Widerstand
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 150 ° C
Hochleistungsdichte von bis zu 283W
Produktvorteile
Hohe Zuverlässigkeit und Robustheit
Ausgezeichnete thermische Leistung
Kompaktes und platzsparendes Design
Wichtige technische Parameter
IGBT-Typ: PT (Punch-Through)
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung: 600 V
Sammlerstrom (max): 87a
Collector-Emitter-Sättigungsspannung (max): 2,5 V
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Kein NTC -Thermistor enthalten
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen
Anwendungsbereiche
Motor fährt
Netzteile
Schweißausrüstung
Erneuerbare Energiesysteme
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produkt, kein Hinweis auf Absetzen
Austausch und Upgrades können in Zukunft verfügbar sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochleistungsdichte und Effizienz
Robuste und zuverlässige Leistung
Kompaktes und platzsparendes Design
Breiter Betriebstemperaturbereich
Geeignet für verschiedene industrielle Anwendungen

