- Jess***Jones
- 2026/04/17
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| Anzahl | Einzelpreis | Zwischensumme Preis |
|---|---|---|
| 1+ | $11.626 | $11.63 |
| 200+ | $4.64 | $928.00 |
| 500+ | $4.484 | $2,242.00 |
| 1000+ | $4.407 | $4,407.00 |
APT54GA60B Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT54GA60B Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT54GA60B
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | Microchip Technology | |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V | |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 32A | |
| Testbedingung | 400V, 32A, 4.7Ohm, 15V | |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 17ns/112ns | |
| Schaltenergie | 534µJ (on), 466µJ (off) | |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247 [B] | |
| Serie | POWER MOS 8™ | |
| Leistung - max | 416 W | |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Paket | Tube | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Eingabetyp | Standard | |
| IGBT-Typ | PT | |
| Gate-Ladung | 158 nC | |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 161 A | |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 96 A | |
| Grundproduktnummer | APT54GA60 |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | ROHS3 -konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT54GA60B.
| Produkteigenschaften | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | APT54GA60B | APT54GA60BD30 | APT5510JFLL | APT546-227-6238 |
| Hersteller | Microchip Technology | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microsemi |
| Grundproduktnummer | APT54GA60 | APT54GA60 | - | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V | 600 V | - | - |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 32A | 2.5V @ 15V, 32A | - | - |
| Eingabetyp | Standard | Standard | - | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 96 A | 96 A | - | - |
| Paket | Tube | Tube | Tube | - |
| Testbedingung | 400V, 32A, 4.7Ohm, 15V | 400V, 32A, 4.7Ohm, 15V | - | - |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 161 A | 161 A | - | - |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247 [B] | TO-247 [B] | ISOTOP® | - |
| Gate-Ladung | 158 nC | 28 nC | - | - |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 | TO-247-3 | SOT-227-4, miniBLOC | - |
| Befestigungsart | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 17ns/112ns | 17ns/112ns | - | - |
| IGBT-Typ | PT | PT | - | - |
| Schaltenergie | 534µJ (on), 466µJ (off) | 534µJ (on), 466µJ (off) | - | - |
| Serie | POWER MOS 8™ | - | POWER MOS 7® | - |
| Leistung - max | 416 W | 416 W | - | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
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APT54GA60BD30Microchip TechnologyIGBT 600V 96A 416W TO247
APT546-227-6238MicrosemiIGBT Module
APT546-227-1333APTIGBT Module
APT546-227-1320APTIGBT Module
APT546-227-6257APTIGBT Module
APT546-227-1334APTIGBT Module
APT541-227-1334MicrosemiIGBT Module
APT5513JFLLMicrosemiIGBT Module
APT541-227-1320APTIGBT Module
APT546-227-0001APTIGBT Module
APT56F50LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 56A TO264
APT56F60B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 60A T-MAX
APT546-227-0000MicrosemiIGBT Module
APT5518BFLLGMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 550V 31A TO247-3
APT56F50B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 500V 56A T-MAXIhre E -Mail -Adresse wird nicht veröffentlicht.
| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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