- Jess***Jones
- 2026/04/17
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| Anzahl | Einzelpreis | Zwischensumme Preis |
|---|---|---|
| 1+ | $6.996 | $7.00 |
APT68GA60B Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT68GA60B Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT68GA60B
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | Microchip Technology | |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V | |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 40A | |
| Testbedingung | 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V | |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 21ns/133ns | |
| Schaltenergie | 715µJ (on), 607µJ (off) | |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247 [B] | |
| Serie | POWER MOS 8™ | |
| Leistung - max | 520 W | |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Paket | Tube | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Eingabetyp | Standard | |
| IGBT-Typ | PT | |
| Gate-Ladung | 298 nC | |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 202 A | |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 121 A | |
| Grundproduktnummer | APT68GA60 |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | ROHS3 -konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT68GA60B.
| Produkteigenschaften | ![]() |
![]() |
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|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | APT68GA60B2D40 | APT68GA60LD40 | APT65GP60L2DQ2G | APT70GR120B2 |
| Hersteller | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Supplier Device-Gehäuse | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | - | - | - | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | - | - | - | - |
| Verpackung / Gehäuse | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Befestigungsart | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Schaltenergie | - | - | - | - |
| Betriebstemperatur | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | - | - | - | - |
| IGBT-Typ | - | - | - | - |
| Eingabetyp | - | - | - | Differential |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | - | - | - | - |
| Gate-Ladung | - | - | - | - |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | - | - | - | - |
| Grundproduktnummer | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Testbedingung | - | - | - | - |
| Paket | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Serie | - | - | - | - |
| Leistung - max | - | - | - | - |
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APT66F60LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 70A TO264
APT70GR65BMicrochip TechnologyIGBT 650V 134A 595W TO-247
APT68GA60B2D40Microchip TechnologyIGBT 600V 121A 520W TO-247
APT66F60B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 70A T-MAX
APT66M60B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 70A T-MAX
APT65GP60JDF2MicrosemiIGBT Module
APT65GP60JMicrochip TechnologyIGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOP
APT66M60LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 70A TO264
APT65GP60L2DQ2GMicrochip TechnologyIGBT 600V 198A 833W TO264
APT70GR120B2Microchip TechnologyIGBT 1200V 160A 961W TO247
APT68GA60LD40Microchip TechnologyIGBT 600V 121A 520W TO-264
APT70GR65B2DU40Microsemi CorporationINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
APT65GP60JRDQ2IGBTIGBT Module
APT70GR120LMicrochip TechnologyIGBT 1200V 160A 961W TO264Ihre E -Mail -Adresse wird nicht veröffentlicht.
| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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