Hersteller Teilnummer
APT75GN60LDQ3G
Hersteller
Mikrochip -Technologie
Einführung
Dieses Produkt ist eine diskrete Halbleiterkomponente, insbesondere ein einzelner Transistor in der Kategorie isolierter Gate Bipolar Transistor (IGBT).
Produktfunktionen und Leistung
Grabenfield Stop IGBT -Technologie
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung (MAX) von 600 V
Sammlerstrom (max) von 155a
Niedriges VCE (Ein) von 1,85 V @ 15V, 75A
Schnelle Schalteigenschaften mit Ablaufzeit von 47 Ns und Abbauszeit von 385 Ns
Hochleistungshandhabungsfähigkeiten bis zu 536W
Produktvorteile
Effiziente Leistungsumwandlung und Kontrolle
Ausgezeichnete Hochspannungs- und Hochstromleistung
Schnelles und zuverlässiges Umschalten
Geeignet für eine breite Palette von Strom -Elektronikanwendungen
Wichtige technische Parameter
IGBT -Typ: Grabenfeld Stopp
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung (MAX): 600V
Sammlerstrom (max): 155a
VCE (ON) (max) @ vge, IC: 1,85V @ 15V, 75A
Torladung: 485nc
Kollektorstrom gepulst (ICM): 225a
Energieschieben: 2500J (Ein), 2140J (aus)
Schaltzeiten: 47ns (Einschalten), 385ns (Ausschalten)
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Erfüllt hochwertige Fertigungsstandards
Kompatibilität
To-264 [l] Paket
Geeignet für eine breite Palette von Strom -Elektronikanwendungen
Anwendungsbereiche
Power Wechselrichter
Motor fährt
Schweißausrüstung
Induktionsheizung
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Industrial Control Systems
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist derzeit verfügbar und nähert sich nicht nähert sich ab.
Austausch- oder Upgrade -Optionen können beim Hersteller erhältlich sein.
Mehrere wichtige Gründe, um dieses Produkt auszuwählen
Hervorragende Leistung mit hoher Spannung und Hochzeit, die eine effiziente Stromumwandlung und Kontrolle ermöglicht.
Schnelle und zuverlässige Umschalteigenschaften, geeignet für anspruchsvolle Leistungselektronikanwendungen.
Die IGBT -Technologie der Grabenfield Stop bietet eine effiziente und zuverlässige Leistungsbearbeitung.
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 175 ° C, sodass vielseitiger und robuster Betrieb.
ROHS3 Compliance und qualitativ hochwertige Herstellung, um die Einhaltung von Umwelt- und Sicherheitsvorschriften zu gewährleisten.
APT75GN60LDQ3APTIGBT Module
APT75GP120JDQ3Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
APT75GP120JMicrochip TechnologyIGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP