Hersteller Teilnummer
APT8015JVFR
Hersteller
Mikrochip -Technologie
Einführung
Hochspannung, Hochstrom-N-Kanal-MOSFET-Transistor für Stromschaltanwendungen.
Produktfunktionen und Leistung
800 V Drain-Source-Spannung
150 mΩ Maximal On-Resistenz
44a kontinuierlicher Abflussstrom bei 25 ° C
17.650PF Maximale Eingangskapazität
285nc Maximale Gate -Ladung
Produktvorteile
Hochspannungs- und Stromhandhabungsfähigkeit
Niedrige On-Resistenz für effiziente Stromschaltungen
Robustes Paket für Hochleistungsanwendungen
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 800 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 150 mΩ
Drainstrom (ID): 44a
Eingangskapazität (CISS): 17.650PF
Gate Ladung (QG): 285nc
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
ISOTOP -Paket für eine verbesserte thermische Leistung und Zuverlässigkeit
Kompatibilität
Geeignet für den Einsatz in Netzteilen, Motorantrieben und anderen Hochleistungsschaltanwendungen
Anwendungsbereiche
Leistungselektronik
Motorkontrolle
Industrieausrüstung
Erneuerbare Energiesysteme
Produktlebenszyklus
Derzeit in Produktion
Ersatzteile und Upgrades verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochspannungs- und Stromhandhabungsfähigkeiten
Niedrige On-Resistenz für effiziente Stromschaltungen
Robustes Paketdesign für zuverlässige Leistung
ROHS3 Compliance für Umweltüberlegungen
Kompatibilität mit einer Vielzahl von Leistungselektronikanwendungen

APT801R2BNAPT
APT8015JNMicrosemiIGBT Module