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| Anzahl | Einzelpreis | Zwischensumme Preis |
|---|---|---|
| 1+ | $33.968 | $33.97 |
| 200+ | $13.554 | $2,710.80 |
| 500+ | $13.101 | $6,550.50 |
| 1000+ | $12.877 | $12,877.00 |
APT84M50B2 Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT84M50B2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT84M50B2
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | Microchip Technology | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Supplier Device-Gehäuse | T-MAX™ [B2] | |
| Serie | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 42A, 10V | |
| Verlustleistung (max) | 1135W (Tc) | |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 Variant | |
| Paket | Tube |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13500 pF @ 25 V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 340 nC @ 10 V | |
| Typ FET | N-Channel | |
| FET-Merkmal | - | |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V | |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 84A (Tc) | |
| Grundproduktnummer | APT84M50 |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | ROHS3 -konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT84M50B2.
| Produkteigenschaften | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | APT84F50B2 | APT84M50L | APT84F50L | APT80SM120B |
| Hersteller | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microsemi Corporation |
| Supplier Device-Gehäuse | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - | - | - | - |
| FET-Merkmal | - | - | - | - |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Verpackung / Gehäuse | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Serie | - | - | - | - |
| Betriebstemperatur | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Technologie | - | - | - | - |
| Befestigungsart | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Grundproduktnummer | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - | - | - | - |
| Paket | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Typ FET | - | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - | - | - | - |
| Verlustleistung (max) | - | - | - | - |
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APT84F50LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 84A TO264
APT80SM120BMicrosemi CorporationSICFET N-CH 1200V 80A TO247
APT80GP60JDFAPT
APT84F50B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 500V 84A T-MAX
APT84M50LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 84A TO264
APT80GP60JDF3APTIGBT Module
APT85GR120B2Microchip TechnologyIGBT 1200V 170A 962W TO247
APT8L16NHAPT
APT85GR120JR60APTIGBT Module
APT85GR120LMicrochip TechnologyIGBT 1200V 170A 962W TO264Ihre E -Mail -Adresse wird nicht veröffentlicht.
| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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