- Jess***Jones
- 2026/04/17
Datenblätter
APTGF150A120T3AG.pdfPCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site 17/Jan/2023.pdfPCN Andere
Integration 13/May/2020.pdfPCN -Teilstatusänderung
Power Module Disc 23/Mar/2016.pdfPCN -Design/Spezifikation
SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015.pdfAPTGF150A120T3AG Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APTGF150A120T3AG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APTGF150A120T3AG
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | Microchip Technology | |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200 V | |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 150A | |
| Supplier Device-Gehäuse | SP3 | |
| Serie | - | |
| Leistung - max | 1041 W | |
| Verpackung / Gehäuse | SP3 | |
| Paket | Bulk | |
| Betriebstemperatur | - |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| NTC-Thermistor | Yes | |
| Befestigungsart | Chassis Mount | |
| Eingangskapazität (Cíes) @ VCE | 9.3 nF @ 25 V | |
| Eingang | Standard | |
| IGBT-Typ | NPT | |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 250 µA | |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 210 A | |
| Konfiguration | Half Bridge |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APTGF150A120T3AG.
| Produkteigenschaften | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | APTGF150A120T3WG | APTGF150A120TG | APTGF150A60T3AG | APTGF150DA120TG |
| Hersteller | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microsemi Corporation |
| Konfiguration | - | - | - | S/H-ADC |
| NTC-Thermistor | - | - | - | - |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | - | - | - | - |
| Befestigungsart | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Eingang | - | - | - | - |
| IGBT-Typ | - | - | - | - |
| Betriebstemperatur | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Verpackung / Gehäuse | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Eingangskapazität (Cíes) @ VCE | - | - | - | - |
| Leistung - max | - | - | - | - |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | - | - | - | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | - | - | - | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | - | - | - | - |
| Serie | - | - | - | - |
| Paket | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Supplier Device-Gehäuse | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
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APTGF150A120T3WGMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 210A 961W SP3
APTGF125X60TE3GAPTIGBT Module
APTGF150H120GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 200A 961W SP6
APTGF150A120TGMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 200A 961W SP4
APTGF125DA60D1APTIGBT Module
APTGF125A60D1GAPTIGBT Module
APTGF100DU120TGMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 135A 568W SP4
APTGF150DU120TGMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 200A 961W SP4
APTGF150A60T3AGMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 230A 833W SP3
APTGF150SK120TGMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 200A 961W SP4
APTGF10X60BTP2GAPTIGBT Module
APTGF125SK60D1GAPTIGBT Module
APTGF100SK120TGMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 135A 568W SP4
APTGF125X60E3GAPTIGBT Module
APTGF150DA120TGMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 200A 961W SP4
APTGF150A12TGIGBT Module
APTGF150DH120GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 200A 961W SP6
APTGF10X60RTP2GAPTIGBT ModuleIhre E -Mail -Adresse wird nicht veröffentlicht.
| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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