Hersteller Teilnummer
APTM10UM01FAG
Hersteller
Mikrochip -Technologie
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET für Automobil- und Industrieanwendungen
Produktfunktionen und Leistung
Extrem geringe Aufnahmebereich für hohe Effizienz
Hochstromfähigkeit bis zu 860a kontinuierlicher Abflussstrom
Breiter Betriebstemperaturbereich von -40 ° C bis 150 ° C
Niedrige Gate -Ladung für schnelles Schalten
Robust 100 V Drain-Source-Spannung
Produktvorteile
Ausgezeichnetes thermisches Management für Hochleistungsdissipation
Zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Anwendungen
Effiziente Leistungsumwandlung für Energieeinsparungen
Schnelles Schalten für Hochgeschwindigkeitsschaltungen
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 100 V
Gate-Source-Spannung (VGS): ± 30 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 1,6 mΩ @ 275A, 10 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 860a @ 25 ° C
Eingangskapazität (CISS): 60000PF @ 25V
Leistungsdissipation (TC): 2500W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Qualifiziert für Automobil- und Industrieanwendungen
Robustes und zuverlässiges Design für langfristige Leistung
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von Stromumrechnungs- und Motorsteuerungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Elektrofahrzeuge
Industriemotorfahrten
Netzteile
Wechselrichter und Konverter
Schwere Maschinen
Produktlebenszyklus
Derzeit in Produktion
Keine Pläne für die Absetzen
Ersatz- oder Upgrade -Optionen bei Microchip erhältlich
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Branchenführende Leistung und Effizienz
Nachgewiesene Zuverlässigkeit bei anspruchsvollen Anträgen
Umfassender technischer Support von Microchip
Kompatibilität mit einer Vielzahl von Systemen und Designs
Langzeitverfügbarkeit und Upgrade-Pfad


APTM10UM01FGAPTIGBT Module