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| Anzahl | Einzelpreis | Zwischensumme Preis |
|---|---|---|
| 1+ | $169.451 | $169.45 |
| 200+ | $67.613 | $13,522.60 |
| 500+ | $65.353 | $32,676.50 |
| 1000+ | $64.236 | $64,236.00 |
APTM20DAM08TG Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APTM20DAM08TG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APTM20DAM08TG
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | Microchip Technology | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Supplier Device-Gehäuse | SP4 | |
| Serie | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 104A, 10V | |
| Verlustleistung (max) | 781W (Tc) | |
| Verpackung / Gehäuse | SP4 | |
| Paket | Bulk |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Chassis Mount | |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14400 pF @ 25 V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 280 nC @ 10 V | |
| Typ FET | N-Channel | |
| FET-Merkmal | - | |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 208A (Tc) | |
| Grundproduktnummer | APTM20 |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | ROHS3 -konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APTM20DAM08TG.
| Produkteigenschaften | ![]() |
![]() |
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|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | APTM20DAM08TG | APTM20DAM10TG | APTM20DAM05G | APTM20DAM04G |
| Hersteller | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Serie | - | - | - | - |
| Paket | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA | 5V @ 5mA | 5V @ 10mA | 5V @ 10mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 104A, 10V | 12mOhm @ 87.5A, 10V | 6mOhm @ 158.5A, 10V | 5mOhm @ 186A, 10V |
| Befestigungsart | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14400 pF @ 25 V | 13700 pF @ 25 V | 27400 pF @ 25 V | 28900 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 208A (Tc) | 175A (Tc) | 317A (Tc) | 372A (Tc) |
| Grundproduktnummer | APTM20 | - | APTM20 | APTM20 |
| Verpackung / Gehäuse | SP4 | SP4 | SP6 | SP6 |
| FET-Merkmal | - | - | - | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 280 nC @ 10 V | 224 nC @ 10 V | 448 nC @ 10 V | 560 nC @ 10 V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max) | 781W (Tc) | 694W (Tc) | 1136W (Tc) | 1250W (Tc) |
| Typ FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Supplier Device-Gehäuse | SP4 | SP4 | SP6 | SP6 |
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APTM20AM05FTGMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 333A SP4
APTM20DAM10TGMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 200V 175A SP4
APTM20AM10STGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
APTM20DHM20TGMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 89A SP4
APTM20DAM05GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 200V 317A SP6
APTM20AM08FTGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 208A SP4
APTM20DAM04GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 200V 372A SP6
APTM20AM05FGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 317A SP6
APTM20AM10FTGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
APTM20DHM16T3GMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 104A SP3
APTM20DHM16TGMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 104A SP4
APTM20DUM04GMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 372A SP6
APTM20DHM10GMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 175A SP6
APTM20DHM08GMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 208A SP6
APTM20DUM05TGMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 333A SP8
APTM20AM06SGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 300A SP6
APTM20DUM05GMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 317A SP6
APTM20AM04FGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 372A SP6Ihre E -Mail -Adresse wird nicht veröffentlicht.
| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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