Hersteller Teilnummer
MIC4123YME-TR
Hersteller
Mikrochip -Technologie
Einführung
Hochleistungs-Dual-Kanal-MOSFET-Gate-Treiber-IC
Entwickelt für das Fahren von N-Kanal- und P-Kanal-MOSFets
Produktfunktionen und Leistung
Arbeitet von 4,5 V bis 20 V Versorgungsspannungsbereich
Unabhängiger Doppelkanalbetrieb
3A Peak Source- und Sinkstromfähigkeit pro Kanal
Ultraschnelle 11 ns Typische Anstiegs- und Herbstzeiten
Niedrige Eingangsverzögerung der Ausgabemöglichkeit
Eingabelogik, die mit 3,3 V- und 5 -V -Systemen kompatibel ist
Thermische Abschalt- und Unterspannungssperrschutz
Produktvorteile
Effiziente MOSFET -Treiberlösung
Kompaktes SOIC-8-Paket mit freiliegendem Pad für eine verbesserte thermische Leistung
Geeignet für eine breite Palette von Stromumrechnungsanwendungen
Wichtige technische Parameter
Versorgungsspannungsbereich: 4,5 V bis 20 V
Ausgangsstrom (Quelle/Waschbecken): 3a/3a
Aufstieg/Fallzeit (typisch): 11ns/11ns
Betriebstemperaturbereich: -40 ° C bis +125 ° C
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Thermische Abschalt- und Unterspannungssperrschutz
Kompatibilität
Geeignet zum Fahren von N-Kanal- und P-Kanal-MOSFets
Anwendungsbereiche
Schaltmodus-Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Batterieladegeräte
Industrie- und Automobilelektronik
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt befindet sich derzeit in der Produktion und nähert sich nicht dem Absetzen.
Austausch- oder Upgrade -Optionen können bei der Microchip -Technologie verfügbar sein.
Mehrere wichtige Gründe, um dieses Produkt auszuwählen
Hochleistungs-Doppelkanal-MOSFET-Gate-Treiber mit schneller Schaltfunktion
Arbeitet über einen breiten Versorgungsspannungsbereich (4,5 V bis 20 V)
Kompaktes SOIC-8-Paket mit freiliegendem Pad für eine verbesserte thermische Leistung
Robuste Schutzmerkmale einschließlich thermischer Herunterfahren und Unterspannungssperrung
Geeignet für eine Vielzahl von Stromumrechnungs- und Motorsteuerungsanwendungen
MIC4125YME-TRMicrochip