- Jess***Jones
- 2026/04/17
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site 16/Jan/2023.pdfDatenblätter
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| Anzahl | Einzelpreis | Zwischensumme Preis |
|---|---|---|
| 1+ | $1,951.699 | $1,951.70 |
| 200+ | $778.741 | $155,748.20 |
| 500+ | $752.719 | $376,359.50 |
| 1000+ | $739.86 | $739,860.00 |
MSCSM120TAM11TPAG Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - MSCSM120TAM11TPAG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - MSCSM120TAM11TPAG
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | Microchip Technology | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 9mA | |
| Technologie | Silicon Carbide (SiC) | |
| Supplier Device-Gehäuse | - | |
| Serie | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4mOhm @ 120A, 20V | |
| Leistung - max | 1.042kW (Tc) | |
| Verpackung / Gehäuse | Module | |
| Paket | Bulk |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Chassis Mount | |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9060pF @ 1000V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 696nC @ 20V | |
| FET-Merkmal | - | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 251A (Tc) | |
| Konfiguration | 6 N-Channel (Phase Leg) | |
| Grundproduktnummer | MSCSM120 |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | ROHS3 -konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology MSCSM120TAM11TPAG.
| Produkteigenschaften | ![]() |
![]() |
|---|---|---|
| Artikelnummer | MSCSM120TAM11TPAG | C3E-24.576-4-3030-M |
| Hersteller | Microchip Technology | Aker Technology USA |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 9mA | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 696nC @ 20V | - |
| Supplier Device-Gehäuse | - | - |
| Grundproduktnummer | MSCSM120 | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4mOhm @ 120A, 20V | - |
| Serie | - | - |
| Paket | Bulk | - |
| Technologie | Silicon Carbide (SiC) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) | -20°C ~ 70°C |
| Konfiguration | 6 N-Channel (Phase Leg) | - |
| Verpackung / Gehäuse | Module | 4-SMD, No Lead |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 251A (Tc) | - |
| FET-Merkmal | - | - |
| Befestigungsart | Chassis Mount | Surface Mount |
| Leistung - max | 1.042kW (Tc) | - |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9060pF @ 1000V | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) | - |
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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