Hersteller Teilnummer
MT29F4G16ABADAWP
D
Hersteller
Mikron -Technologie
Einführung
Hochleistungs-NAND-Flash-Speichergerät
Produktfunktionen und Leistung
4Gbit (256 m x 16) Speicherkapazität
Parallele Speicherschnittstelle
Nichtflüchtige Gedächtnistechnologie
Betriebsspannungsbereich: 2,7 V bis 3,6 V.
Betriebstemperaturbereich: 0 ° C bis 70 ° C
Produktvorteile
Hohe Dichte und Kapazität
Niedriger Stromverbrauch
Breiter Betriebstemperaturbereich
Zuverlässige und dauerhafte Leistung
Wichtige technische Parameter
Speichergröße: 4Gbit
Speicherorganisation: 256 m x 16
Speicherschnittstelle: parallel
Speichertechnologie: Nand Flash
Betriebsspannung: 2,7 V bis 3,6 V.
Betriebstemperatur: 0 ° C bis 70 ° C
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Zuverlässiges und langlebiges Design
Kompatibilität
Kompatibel mit einer Vielzahl von elektronischen Geräten und Systemen, die einen nichtflüchtigen Speicher mit hoher Kapazität erfordern
Anwendungsbereiche
Geeignet für die Verwendung in verschiedenen elektronischen Geräten und Systemen, wie z. B.:
- Smartphones
- Tablets
- Laptops
- industrielle und eingebettete Systeme
- Datenspeicher- und Sicherungsanwendungen
Produktlebenszyklus
Derzeit verfügbar und aktiv vom Hersteller unterstützt und aktiv unterstützt
Keine Informationen zum Absetzen oder zur Verfügbarkeit von Ersetzungen oder Upgrades
Mehrere wichtige Gründe, um dieses Produkt auszuwählen
Hohe Speicherkapazität von 4Gbit
Breite Betriebsspannung und Temperaturbereiche
Zuverlässige und dauerhafte Leistung
ROHS3 Compliance für die Umweltsicherheit
Kompatibilität mit einer Vielzahl von elektronischen Geräten und Systemen
MT29F4G16ABADAWP-ITMicron