- Jess***Jones
- 2026/04/17
Datenblätter
APTGT100SK60TG.pdfAPTGT100SK60TG Tech -Spezifikationen
Microsemi Corporation - APTGT100SK60TG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microsemi Corporation - APTGT100SK60TG
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | Microsemi | |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V | |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 100A | |
| Supplier Device-Gehäuse | SP4 | |
| Serie | - | |
| Leistung - max | 340 W | |
| Verpackung / Gehäuse | SP4 | |
| Paket | Bulk | |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| NTC-Thermistor | Yes | |
| Befestigungsart | Chassis Mount | |
| Eingangskapazität (Cíes) @ VCE | 6.1 nF @ 25 V | |
| Eingang | Standard | |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop | |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 250 µA | |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 150 A | |
| Konfiguration | Single |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microsemi Corporation APTGT100SK60TG.
| Produkteigenschaften | ![]() |
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|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | APTGT100SK60T1G | APTGT100SK120TG | APTGT100SK170TG | APTGT100SK120D1G |
| Hersteller | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microsemi Corporation |
| Konfiguration | - | - | - | S/H-ADC |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | - | - | - | - |
| Paket | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| IGBT-Typ | - | - | - | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | - | - | - | - |
| Befestigungsart | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| NTC-Thermistor | - | - | - | - |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | - | - | - | - |
| Verpackung / Gehäuse | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Supplier Device-Gehäuse | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Serie | - | - | - | - |
| Eingangskapazität (Cíes) @ VCE | - | - | - | - |
| Eingang | - | - | - | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | - | - | - | - |
| Leistung - max | - | - | - | - |
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APTGT100SK170TGMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1700V 150A 560W SP4
APTGT100H60T3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 150A 340W SP3
APTGT100SK120TGMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 140A 480W SP4
APTGT100TL170GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1700V 150A 560W SP6
APTGT100SK170D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1700V 200A 695W D1
APTGT100TA120TPGMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 140A 480W SP6P
APTGT100TDU60PGMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 150A 340W SP6P
APTGT100H120GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 140A 480W SP6
APTGT100H170GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1700V 150A 560W SP6
APTGT100TL60T3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 150A 340W SP3
APTGT100H60TGMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 150A 340W SP4
APTGT100TA60PGMicrosemi CorporationIGBT MODULE 600V 150A 340W SP6P
APTGT150A120D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 220A 700W D1
APTGT100SK60T1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 600V 150A 340W SP4
APTGT150A120D3GAPTIGBT Module
APTGT150A1202GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 220A 690W SP2
APTGT100SK120D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 150A 520W D1
APTGT100X120TE3GAPTIGBT ModuleIhre E -Mail -Adresse wird nicht veröffentlicht.
| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
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| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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