Hersteller Teilnummer
PMBTA56,215
Hersteller
Nexperia
Einführung
Bipolarer Junction Transistor (BJT) in einem Oberflächenmontagepaket
Produktfunktionen und Leistung
Entwickelt für Automobil- und Industrieanwendungen
PNP -Transistor mit einer hohen Gleichstromverstärkung von 100 (min) bei 100 mA, 1V
In der Lage, bis zu 150 ° C -Anschlusstemperatur zu arbeiten
Bietet eine Sättigungsspannung mit niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von 250 mV (MAX) bei 10 mA, 100 mA
Unterstützt einen maximalen Sammlerstrom von 500 mA
Transistorübergangsfrequenz von 50 MHz
Produktvorteile
Robustes Design der Automobilqualität
Hohe Zuverlässigkeit und thermische Leistung
Kompakte Oberflächenmontagepaket
Optimiert für Hochleistungsanwendungen mit hoher Frequenzschaltanwendungen
Wichtige technische Parameter
Spannungskollektoremittererbruch (MAX): 80V
Stromsammler (IC) (max): 500 mA
Current Collector Cutoff (max): 50NA (ICBO)
Power max: 250 mw
Betriebstemperatur: 150 ° C (TJ)
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Qualifiziert für AEC-Q101 Automotive Standard
Kompatibilität
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-Paketkompatibilität
Geeignet für die automatisierte Baugruppe von Band und Rolle
Anwendungsbereiche
Kfz -Elektronik
Industrial Control Systems
Netzteile
Schaltkreise umschalten
Verstärkerschaltungen
Produktlebenszyklus
Derzeit in aktiver Produktion
Ersatz- oder Upgrade -Optionen bei Nexperia erhältlich
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Robustes Design für den zuverlässigen Betrieb von Automobilqualität
Hohe thermische Leistung und breites Betriebstemperaturbereich
Kompaktes Oberflächenmontagepaket für platzbeschränkte Anwendungen
Optimiert für Hochleistungsanwendungen mit hoher Frequenzschaltanwendungen
Einhaltung der ROHS3- und AEC-Q101-Standards für Qualität und Sicherheit
