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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberISL2111ABZ-T
ISL2111ABZ-T Image
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ISL2111ABZ-T - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
ISL2111ABZ-T
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-ISL2111ABZ-T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
ISL2111ABZ-T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 12973

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Anzahl

Spezifikation

ISL2111ABZ-T Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - ISL2111ABZ-T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - ISL2111ABZ-T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
Spannungsversorgung 8V ~ 14V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 9ns, 7.5ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 1.4V, 2.2V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 114 V  
Gate-Typ N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 3A, 4A  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer ISL2111  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc ISL2111ABZ-T.

Produkteigenschaften ISL2111ABZ-T ISL2111ARTZ-T ISL2111ABZ ISL2110AR4Z
Artikelnummer ISL2111ABZ-T ISL2111ARTZ-T ISL2111ABZ ISL2110AR4Z
Hersteller Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 9ns, 7.5ns 9ns, 7.5ns 9ns, 7.5ns 9ns, 7.5ns
Serie - - - -
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 114 V 114 V 114 V 114 V
Logikspannung - VIL, VIH 1.4V, 2.2V 1.4V, 2.2V 1.4V, 2.2V 3.7V, 7.4V
Spannungsversorgung 8V ~ 14V 8V ~ 14V 8V ~ 14V 8V ~ 14V
Gate-Typ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 3A, 4A 3A, 4A 3A, 4A 3A, 4A
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 10-TDFN (4x4) 8-SOIC 12-DFN (4x4)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer ISL2111 ISL2111 ISL2111 ISL2110
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 10-WDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 12-VFDFN Exposed Pad
Ladestrom Independent Independent Independent Independent
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube

ISL2111ABZ-T Datenblatt PDF

Laden Sie ISL2111ABZ-T PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für ISL2111ABZ-T - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Verpackung
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Alternate Manufacturing Site 05/Feb/2014.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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