Hersteller Teilnummer
2stf2340
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Dieses Produkt ist ein PNP Bipolar Junction Transistor (BJT), das für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet ist, einschließlich Leistungsverstärker, Schalter und Regulatoren.
Produktfunktionen und Leistung
Betriebstemperaturbereich bis zu 150 ° C
Leistungsdissipation von bis zu 1,4 w
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung von bis zu 40 V.
Sammlerstrom (IC) von bis zu 3 a
Collector Cutoff Current (ICBO) von bis zu 100 NA
Niedrige Sammler-Emitter-Sättigungsspannung (VCE SAT) von 350 mV bei 150 mA, 3 a
Hoch -Gleichstromstromverstärkung (HFE) von mindestens 180 @ 1 a, 2 V
Übergangsfrequenz von 100 MHz
Produktvorteile
Robuste Leistung in Hochtemperaturumgebungen
Fähigkeit, hohe Strom- und Stromniveaus zu bewältigen
Niedrige Sättigungsspannung für eine effiziente Leistungsschaltung
Geeignet für hochfrequente Anwendungen
Wichtige technische Parameter
Leistungsdissipation: 1,4 w
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung: 40 V
Sammlerstrom (IC): 3 a
Collector Cutoff Current (ICBO): 100 NA
Collector-Emitter-Sättigungsspannung (VCE SAT): 350 mV @ 150 mA, 3 a
Gleichstromverstärkung (HFE): 180 @ 1 A, 2 V.
Übergangsfrequenz: 100 MHz
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Untergebracht in einem SOT-89-3-Oberflächenmontagepaket
Kompatibilität
Dieser Transistor eignet sich für eine Vielzahl elektronischer Anwendungen, einschließlich Stromverstärker, Schalter und Regulierungsbehörden.
Anwendungsbereiche
Machtverstärker
Schalter
Aufsichtsbehörden
Allgemeine Transistoranwendungen
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt befindet sich derzeit in aktiver Produktion und Verfügbarkeit.Zu diesem Zeitpunkt wurden keine Pläne für die Ablagerung angekündigt.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Robuste Hochtemperaturleistung
Fähigkeit, hohe Strom- und Stromniveaus zu bewältigen
Niedrige Sättigungsspannung für eine effiziente Leistungsschaltung
Geeignet für hochfrequente Anwendungen
ROHS3 Compliance für ökologische Nachhaltigkeit
Kompaktes Oberflächenmontagepaket für ein effizientes Platine -Layout
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