Hersteller Teilnummer
Bul1102e
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Bipolar -Junction -Transistor (BJT), NPN -Typ
Produktfunktionen und Leistung
450 V Collector-Emitter-Breakdown-Spannung
70W Maximale Leistung
4A Maximaler Sammlerstrom
100 μA Maximaler Sammler -Cutoff -Strom
5 V Maximale Sammler-Emitter-Sättigungsspannung bei 400 mA/2a
12 minimaler Gleichstromverstärkung bei 2a/5V
Produktvorteile
Hochspannungs- und Leistungshandhabungsfähigkeiten
Robuste und zuverlässige Leistung
Geeignet für Hochleistungsschalt- und Verstärkungsanwendungen
Wichtige technische Parameter
To-220 Paket
150 ° C Maximale Anschlusstemperatur
ROHS3 -konform
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
Einhaltung der Richtlinie der ROHS3
Geeignet für Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen
Kompatibilität
Durchläufungsmontage
In verschiedenen elektronischen Schaltungen und Systemen häufig verwendet
Anwendungsbereiche
Netzteile
Motor fährt
Industriekontrollen
Machtverstärker
Schaltkreise umschalten
Produktlebenszyklus
Aktives Produkt
Austausch und Upgrades beim Hersteller erhältlich
Hauptgründe zur Auswahl
Außergewöhnliche Spannung und Leistungsbearbeitung
Zuverlässige und robuste Leistung
Geeignet für Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen
ROHS3 Compliance für die Umweltverantwortung
BUL128DBSTMicroelectronics