Hersteller Teilnummer
Buld118d-1
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Diskretes Halbleiterprodukt
Bipolare Junction Transistor (BJT) Single
Produktfunktionen und Leistung
Leistungsbewertung: 20 w
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung: 400 V
Sammlerstrom (max): 2 a
Collector Cutoff Current (max): 250 a
Collector-Emitter-Sättigungsspannung: 1,5 V @ 400 mA, 2 a
Gleichstromverstärkung (HFE): 10 @ 500 mA, 5 V.
Betriebstemperatur: 150 ° C (TJ)
Produktvorteile
Hochleistungshandhabungsfähigkeit
Hochspannungs- und Strombewertungen
Niedrige Sättigungsspannung
Wichtige technische Parameter
Transistortyp: NPN
Montagetyp: Durch Loch
Paket: to-251-3 kurze Leads, ipak, to-251aa
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Kompatibilität
Kompatibel mit TO-251 (IPAK) -Paket
Anwendungsbereiche
Geeignet für Hochleistungsschalt- und Verstärkungsanwendungen
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produkt, keine Informationen zum Absetzen oder zum Austausch
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochleistungshandhabungsfähigkeit
Hochspannungs- und Strombewertungen
Niedrige Sättigungsspannung
ROHS3 Compliance
Kompatibel mit Standard-TO-251 (IPAK) -Paket
BULD128DT4GSTMicroelectronics
BULD25DTexas Instruments