Hersteller Teilnummer
L6384ED013TR
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Halbbrücken-Gate-Treiber IC für IGBT und MOSFETs
Produktfunktionen und Leistung
Doppelte unabhängige Kanäle
Synchronantriebsfähigkeit
Integrierte Bootstrap -Diode
Hochspannungsbetrieb bis zu 600 V
Niedrige Anstiegs- und Sturzzeiten für schnelles Wechsel
Breites Versorgungsspannungsbereich 14,6 V bis 16,6 V.
Produktvorteile
Robuste thermische Leistung
Verbesserte Haltbarkeit für Hochfrequenzoperationen
Effizientes Fahren von IGBT und N-Kanal-MOSFET
Hohe Immunität gegen DV/DT
Wichtige technische Parameter
Halbbrücken-angetriebene Konfiguration
Synchroner Kanaltyp
Anzahl der Treiber: 2
Gate-Typ: IGBT, N-Kanal-MOSFET
Versorgungsspannung: 14,6 V ~ 16,6 V
Logikspannung - VIL: 1,5 V, VIH: 3,6 V.
Strom - Peakausgang (Quelle, Senke): 400 mA, 650 mA
Hochseitenspannung - Max (Bootstrap): 600 V.
Anstiegszeit (Typ): 50 ns
Fallzeit (Typ): 30 ns
Betriebstemperatur: -45 ° C ~ 125 ° C (TJ)
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
Hochspannungsfähigkeit
Wärmeabschließungsschutz
Unter Spannungssperrung
Kompatibilität
Kompatibel mit IGBT- und N-Kanal-Power-MOSFets
Großer Bereich von Logikeingangsspannungen für eine vielseitige Schnittstelle
Anwendungsbereiche
Motorkontrolle
Netzteile des Switch -Modus
Leistungsfaktorkorrektur
Wechselrichterschaltungen
Stromverwaltungssysteme
Produktlebenszyklus
Derzeit aktiv
Nicht kurz vor der Abnahme
Zukünftige Upgrades oder Austauschungen bei Bedarf verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hohe Effizienz und niedrigere Stromversorgung bei Energieeinsparungen
In der Lage, eine breite Palette von Stromtransistoren zu treiben
Minimale Ausbreitungsverzögerungen für genaue Kontrolle
Robustes Design, das für harte Umgebungen geeignet ist
Vielseitigkeit über mehrere Anwendungen hinweg
Bereitete Verfügbarkeit und Unterstützung von STMICROELECTRONICS
L6385ED013STM
L6382DLSTMicroelectronics