Hersteller Teilnummer
M48Z12-150PC1
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Nichtflüchtiger SRAM-Speicher mit Batteriesicherung
Produktfunktionen und Leistung
16Kbit NVSRAM
2k x 8 Speicherorganisation
Parallele Speicherschnittstelle
Schreiben Sie die Zykluszeit: 150 ns
Zugriffszeit: 150 ns
Arbeitet über 4,5 V bis 5,5 V Supply Range
Durchläufungsmontage
24-DIP-Modulpaket
Caphat® für die Batterieintegration
Produktvorteile
Datenbindung ohne Macht
Schnelle Zugangszeit entspricht dem flüchtigen SRAM
Unbegrenzte Lesen- und Schreibvorgänge
Batterieblichter Batterie, um die Datenbeständigkeit sicherzustellen
Wichtige technische Parameter
Speichergröße: 16 kbbit
Speicherformat: NVSRAM
Spannungsversorgung: 4,5 V bis 5,5 V
Betriebstemperatur: 0 ° C bis 70 ° C
Montagetyp: Durch Loch
Paket/Fall: 24-DIP-Modul
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
Robuste nichtflüchtige Datenspeicherung
Integrierter Energie-Fail-Schutz
Kompatibilität
Kompatibel mit gemeinsamen parallelen Speicherschnittstellen
Anwendungsbereiche
Echtzeituhren
Industrial Control Systems
Computersysteme
Spielsysteme
Medizinische Ausrüstung
Produktlebenszyklus
Aktiver Produktstatus
Kein Hinweis auf die Absetzung
Ersatz- und Upgrade -Optionen verfügbar
Mehrere wichtige Gründe, um dieses Produkt auszuwählen
Zuverlässige nichtflüchtige Datenspeicherlösung
Integriert sich einfach in vorhandene Systeme mit paralleler Schnittstelle
Schnelle Zugriffs- und Schreibzeiten verbessern die Gesamtsystemgeschwindigkeit
Geeignet für einen breiten Anwendungsbereich aufgrund vielseitiger 4,5 -V -bis 5,5 -V -Spannungsbereich
Die Qualität und Unterstützung von Stmicroelectronics und Unterstützung für industrielle Standards
M48Z128Y-70PMISTMicroelectronics
M48Z129V-85PM1