Hersteller Teilnummer
NAND01GW3B2AN6F
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Der NAND01GW3B2AN6F ist ein NAND-Flash-Speicherprodukt mit hoher Dichte von STMICROELECTRONICS.Es bietet eine Speicherkapazität von 1Gbit und verfügt über eine parallele Speicheroberfläche, wodurch es für eine Vielzahl von eingebetteten Anwendungen geeignet ist.
Produktfunktionen und Leistung
1Gbit of non-volatile NAND flash memory
128m x 8 Speicherorganisation
Parallele Speicherschnittstelle
30 ns Schreibzykluszeit und 30 ns Zugriffszeit
Betriebsspannungsbereich von 2,7 V bis 3,6 V.
Betriebstemperaturbereich von -40 ° C bis 85 ° C
Produktvorteile
Speicherkapazität mit hoher Dichte
Betrieb mit geringer Leistung
Schnelle Schreib- und Zugriffszeiten
Breite Betriebsspannung und Temperaturbereiche
Parallele Schnittstelle zur einfachen Integration in eingebettete Systeme
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Robuste und zuverlässige NAND -Flash -Speicherlösung
Ideal für eingebettete Anwendungen, die eine nichtflüchtige Speicherung erfordern
Scalable capacity to meet diverse system requirements
Wettbewerbsleistung und Leistungsmerkmale
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
Hergestellt mit fortschrittlichen Halbleiterprozessen
Umfangreiche Tests und Qualitätskontrollmaßnahmen
Einhaltung der relevanten Branchenstandards und Vorschriften
Kompatibilität
The NAND01GW3B2AN6F is compatible with a wide range of embedded systems and microcontrollers that support parallel NAND flash memory interfaces.
Anwendungsbereiche
Kfz -Elektronik
Industrial Control Systems
Tragbare Geräte
Unterhaltungselektronik
Medizinische Ausrüstung
Produktlebenszyklus
The NAND01GW3B2AN6F is currently an obsolete product.Kunden werden empfohlen, das Verkaufsteam unserer Website zu kontaktieren, um Informationen zu entsprechenden oder alternativen NAND -Flash -Speicherlösungen zu erhalten, die möglicherweise verfügbar sind.
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