Hersteller Teilnummer
SCTW90N65G2V
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-Silizium-Carbid (SICFET) -Mosfet
Produktfunktionen und Leistung
Abflussspannung bis zu 650 V.
Kontinuierlicher Abflussstrom bis zu 90A
Niedriger Widerstand im Zustand von 25m Ω
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 200 ° C
Schnelle Schaltleistung
Hochleistungsdichte und Effizienz
Produktvorteile
Verbesserte Energieeffizienz
Reduzierte Systemgröße und Gewicht
Verbesserte Zuverlässigkeit und Lebensdauer
Wichtige technische Parameter
VDSS: 650 V
VGS (max): +22V, -10 V
RDS auf (max) @ id, vgs: 25mΩ @ 50a, 18V
Ciss (max) @ vds: 3300pf @ 400V
Leistungsdissipation (max): 390W (TC)
Vgs (th) (max) @ id: 5v @ 250a
Gate Ladung (QG) (max) @ VGS: 157NC @ 18V
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Hochzuverlässiger HIP247-Paket
Kompatibilität
Durchläufungsmontage
Anwendungsbereiche
Leistungsumwandlung und Kontrolle
Industriemotorfahrten
Erneuerbare Energiesysteme
Elektrofahrzeuge und hybride Elektrofahrzeuge
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produkt, kein Absetzen geplant
Upgrades und Austauschungen, die als technologische Fortschritte verfügbar sind
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hohe Effizienz und Leistungsdichte
Breiter Betriebstemperaturbereich
Robuste und zuverlässige Leistung
Kompatibilität mit vorhandenen Systemen
Einhaltung der ROHS -Vorschriften
SCTW40N120G2VAGSTMicroelectronics
SCTW40N120G2V
SCTW35N65G2VAGSTMicroelectronics