Hersteller Teilnummer
ST2310FX
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-NPN-Bipolar-Junction-Transistor (BJT)
Geeignet für die Verwendung in Hochspannungsanwendungen mit hoher Stromversorgung
Produktfunktionen und Leistung
In der Lage, bis zu 65 W Strom zu bearbeiten
Maximale Sammler-Emitter-Spannung von 600 V
Maximaler Sammlerstrom von 12a
Minimum DC-Stromverstärkung (HFE) von 6,5 bei 7A-Kollektorstrom und 5V-Kollektor-Emitter-Spannung
Betriebstemperaturbereich bis zu 150 ° C
Produktvorteile
Robustes Design für Hochleistungsanwendungen
Zuverlässige Leistung in harten Umgebungen
Effiziente Wärmeabteilung durch ISOWATT-218FX-Paket
Wichtige technische Parameter
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung (MAX): 600V
Sammlerstrom (max): 12a
Leistungsdissipation (max): 65W
Gleichstromverstärkung (min): 6,5 @ 7a, 5v
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Entworfen und hergestellt nach qualitativ hochwertigen Standards
Kompatibilität
Geeignet für die Verwendung in einer Vielzahl von elektronischen Hochleistungsschaltungen und -systemen
Anwendungsbereiche
Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Hochspannungs-Schaltanwendungen mit hoher Stromversorgung
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produkt, keine Pläne für den Absetzen
Bei Bedarf Ersatz- oder Upgrade -Modelle verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Robuste und zuverlässige Leistung in Hochleistungsanwendungen
Effiziente Wärmeabteilung durch spezialisiertes Paket
Einhaltung der ROHS3 -Standards für die Umweltverantwortung
Verfügbarkeit von kompatiblen und verbesserten Modellen für zukünftige Bedürfnisse
ST2320RIntel