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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTB10N60M2
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STB10N60M2 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB10N60M2
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB10N60M2
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Verpackung
D²PAK (TO-263)
Datenblatt
1.STB10N60M2.pdf ...

Datenblätter

STx10N60M2.pdf

PCN -Design/Spezifikation

IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
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vorrätig: 29898

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Spezifikation

STB10N60M2 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB10N60M2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB10N60M2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie MDmesh™ II Plus  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3A, 10V  
Verlustleistung (max) 85W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.5A (Tc)  
Grundproduktnummer STB10  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STB10N60M2

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET mit 600-V-Bewertung und geringem Aufnahmebestand.

Produktfunktionen und Leistung

600 V Drain-to-Source-Spannung

Niedrige On-Resistenz von 600 mΩ @ 3a, 10 V

Kontinuierlicher Abflussstrom von 7,5a bei 25 ° C Falltemperatur

Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 150 ° C

Schnelle Schaltgeschwindigkeit und niedrige Gate -Ladung von 13,5 NC @ 10V

Produktvorteile

Hervorragende Effizienz und Leistungsdichte

Robuste und zuverlässige Leistung

Geeignet für Hochspannungsanwendungen, Hochleistungsanwendungen

Wichtige technische Parameter

Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 600 V

Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 25 V

On-Resistenz (RDS (ON)): 600 mΩ @ 3a, 10 V

Abflussstrom (ID): 7,5a bei 25 ° C

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

DPAK (TO-263) -Paket zur effizienten Wärmeableitung

Geeignet für Anwendungen zur Oberflächenmontage

Kompatibilität

Kompatibel mit verschiedenen Hochleistungsanwendungen mit hoher Spannung und Hochleistungsanwendungen

Anwendungsbereiche

Stromversorgungsversorgung

Motor fährt

Wechselrichter

Industrieautomatisierung

Erneuerbare Energiesysteme

Produktlebenszyklus

Dieses Produkt wird aktiv unterstützt und nähert sich nicht nähert die Abnahme.

Austausch und Upgrades können verfügbar sein.

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Hervorragende Effizienz und Leistungsdichte

Robuste und zuverlässige Leistung

Breiter Betriebstemperaturbereich

Schnelle Schaltgeschwindigkeit und niedrige Gate -Ladung

Geeignet für Hochspannungsanwendungen, Hochleistungsanwendungen

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB10N60M2.

Produkteigenschaften STB10N60M2 STB10N95K5 STB10N65K3 STB10LN80K5
Artikelnummer STB10N60M2 STB10N95K5 STB10N65K3 STB10LN80K5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Serie MDmesh™ II Plus SuperMESH5™ SuperMESH3™ MDmesh™ K5
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±30V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer STB10 STB10 STB10N6 STB10
Verlustleistung (max) 85W (Tc) 130W (Tc) 150W (Tc) 110W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.5A (Tc) 8A (Tc) 10A (Tc) 8A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 950 V 650 V 800 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 100 V 630 pF @ 100 V 1180 pF @ 25 V 427 pF @ 100 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3A, 10V 800mOhm @ 4A, 10V 1Ohm @ 3.6A, 10V 630mOhm @ 4A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 5V @ 100µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

STB10N60M2 Datenblatt PDF

Laden Sie STB10N60M2 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB10N60M2 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STx10N60M2.pdf
PCN -Design/Spezifikation
IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

    Good comunication,
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  • Yaqu***l Ali
    2024/06/19

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Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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