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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTB11N65M5
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STB11N65M5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB11N65M5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB11N65M5
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
Verpackung
D²PAK (TO-263)
Datenblatt
1.STB11N65M5.pdf ...

Datenblätter

STx11N65M5.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
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Spezifikation

STB11N65M5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB11N65M5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB11N65M5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 4.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 85W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 644 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc)  
Grundproduktnummer STB11  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STB11N65M5

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Diskretes Halbleiterprodukt

N-Kanal-MOSFET-Transistor

Produktfunktionen und Leistung

650 V Abfluss zur Quellspannung

9a kontinuierlicher Abflussstrom bei 25 ° C

480 mΩ On-Resistenz bei 4,5a, 10 V

85W Stromversorgung (TC)

150 ° C Maximale Anschlusstemperatur

644PF -Eingangskapazität bei 100 V

17nc Gate -Gebühr bei 10 V

Produktvorteile

Hochspannung und Hochleistungsfähigkeiten

Niedrige On-Resistenz für eine effiziente Leistung

Kompakte DPAK (TO-263) Oberflächenmontagepaket

Wichtige technische Parameter

N-Kanal-Mosfet

VDS: 650 V

VGS (max): ± 25 V

RDS on (max): 480mΩ @ 4,5a, 10 V

ID (kontinuierlich): 9a @ 25 ° C

Leistungsdissipation (max): 85W (TC)

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

DPAK (to-263) Paket

Kompatibilität

Kompatibel mit verschiedenen elektronischen Schaltungskonstruktionen, die eine Hochspannung mit hohem N-Kanal-MOSFET-Transistoren benötigen

Anwendungsbereiche

Netzteile

Motor fährt

Wechselrichter

Industriekontrollen

Kfz -Elektronik

Produktlebenszyklus

Aktuelles Produkt, nicht kurz vor Abbruch

Ersatz- und Upgrade -Optionen bei STMICROELECTRONICS erhältlich

Hauptgründe zur Auswahl

Hochspannungs- und Leistungshandhabungsfähigkeiten

Niedrige On-Resistenz für eine effiziente Leistung

Kompaktes und zuverlässiges DPAK (to-263) -Paket

ROHS3 Compliance für die Umweltverantwortung

Umfangreiche Anwendungs ​​Vielseitigkeit in der Leistungselektronik

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB11N65M5.

Produkteigenschaften STB11N65M5 STB11N52K3 STB11NK40ZT4 STB11NK50ZT4
Artikelnummer STB11N65M5 STB11N52K3 STB11NK40ZT4 STB11NK50ZT4
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 4.5A, 10V 510mOhm @ 5A, 10V 550mOhm @ 4.5A, 10V 520mOhm @ 4.5A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie MDmesh™ V SuperMESH3™ SuperMESH™ SuperMESH™
Verlustleistung (max) 85W (Tc) 125W (Tc) 110W (Tc) 125W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK D2PAK
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 525 V 400 V 500 V
Grundproduktnummer STB11 STB11N STB11 STB11
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 644 pF @ 100 V 1400 pF @ 50 V 930 pF @ 25 V 1390 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc) 10A (Tc) 9A (Tc) 10A (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±30V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB11N65M5 Datenblatt PDF

Laden Sie STB11N65M5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB11N65M5 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STx11N65M5.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
IPD/15/9345 04/Aug/2015.pdf Retraction IPD/15/9383 14/Sep/2015.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Datasheet Rev 09/Feb/2022.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

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Japan 4
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