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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTB11NM60FDT4
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STB11NM60FDT4 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB11NM60FDT4
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB11NM60FDT4
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Verpackung
D2PAK
Datenblatt
1.STB11NM60FDT4.pdf ...
RoHS Status
ROHS3 -konform
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Spezifikation

STB11NM60FDT4 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB11NM60FDT4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB11NM60FDT4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie FDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 5.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 160W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)  
Grundproduktnummer STB11  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STB11NM60FDT4

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Hochspannende N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit hoher Leistung mit geringem Aufnahmebereich und schneller Schaltfähigkeit.

Produktfunktionen und Leistung

Hochdrainer-zu-Source-Spannung (600 V)

Niedrige On-Resistenz (450 mΩ)

Hoher kontinuierlicher Abflussstrom (11A)

Schnelles Schalten mit niedriger Gate -Ladung (40 nc)

Optimiert für hocheffiziente Leistungskonvertierungsanwendungen

Produktvorteile

Verbesserte Energieeffizienz

Reduzierte Leistungsabteilung

Kompaktes Design

Zuverlässige und robuste Leistung

Wichtige technische Parameter

Drain-to-Source-Spannung (VDS): 600 V

Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 30 V

On-Resistenz (RDS (ON)): 450 mΩ

Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 11a

Eingangskapazität (CISS): 900PF

Leistungsdissipation (TC): 160W

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS-COMPLISH

Robustes D2PAK -Paket

Kompatibilität

Oberflächenmontagepaket (to-263-3, dpak)

Geeignet für Hochspannungsanwendungen mit hoher Effizienz-Leistungsumwandlungen

Anwendungsbereiche

Schaltmodus-Netzteile

Motor fährt

Wechselrichter

Industrie- und Unterhaltungselektronik

Produktlebenszyklus

Derzeit in Produktion

Ersatz und Upgrades bei Bedarf verfügbar

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Hohe Effizienz und Verlust mit geringer Leistung

Zuverlässige und robuste Leistung

Kompaktes und platzsparendes Design

Geeignet für eine Vielzahl von Hochspannungs-Leistungsumwandlungsanwendungen

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB11NM60FDT4.

Produkteigenschaften STB11NM60FDT4 12065A750FAT2A
Artikelnummer STB11NM60FDT4 12065A750FAT2A
Hersteller STMicroelectronics AVX Corporation
Technologie MOSFET (Metal Oxide) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V -
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 1206 (3216 Metric)
Verlustleistung (max) 160W (Tc) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V -
Serie FDmesh™ -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 5.5A, 10V -
Typ FET N-Channel -
FET-Merkmal - -
Paket Tape & Reel (TR) -
Grundproduktnummer STB11 -
Betriebstemperatur - -55°C ~ 125°C
Supplier Device-Gehäuse D2PAK -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount, MLCC
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) -
Vgs (Max) ±30V -

STB11NM60FDT4 Datenblatt PDF

Laden Sie STB11NM60FDT4 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB11NM60FDT4 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

    Good comunication,
    Transpnt regarding the process and price.

  • Yaqu***l Ali
    2024/06/19

    Providing reasonable prices, regular follow-up of orders, providing accurate and regular invoices, timely delivery of goods, excellent customer service and providing original goods and best quality materials.

  • Lea ***
    2024/06/19

    Morrey was very helpful and right on top of things!
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Japan 4
Naher Osten Israel 6
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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