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STB11NM60T4 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB11NM60T4
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB11NM60T4
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Verpackung
D2PAK
Datenblatt
1.STB11NM60T4.pdf ...

Datenblätter

ST(B,P)11NM60(FP,-1).pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
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Spezifikation

STB11NM60T4 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB11NM60T4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB11NM60T4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 5.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 160W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)  
Grundproduktnummer STB11  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STB11NM60T4

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Hochspannung mit Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET

Produktfunktionen und Leistung

Hochspannung von 650 V

Niedrige On-Resistenz von 450 mΩ

Hoher kontinuierlicher Abflussstrom von 11A

Schnelle Schalteigenschaften

Breiter Betriebstemperaturbereich von -65 ° C bis 150 ° C

Produktvorteile

Ausgezeichnete Effizienz der Energieumwandlung

Robustes und zuverlässiges Design

Geeignet für Hochspannungsanwendungen, Hochleistungsanwendungen

Wichtige technische Parameter

Abtropfen Sie zur Quellspannung (VDSS): 650 V

Gate-Source-Spannung (VGS): ± 30 V

On-Resistenz (RDS (ON)): 450 mΩ @ 5,5A, 10 V

Durchgangsabflussstrom (ID): 11A (bei 25 ° C)

Eingangskapazität (CISS): 1000PF @ 25V

Leistungsdissipation (TC): 160W

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Langlebiges D2PAK -Paket

Kompatibilität

Oberflächenmontagepaket (to-263-3, D2pak)

Anwendungsbereiche

Schaltmodus-Netzteile

Motor fährt

Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)

Industrie- und medizinische Geräte

Produktlebenszyklus

Aktuelles Modell, kein Absetzen geplant

Ersatz- oder Upgrade -Optionen bei STMICROELECTRONICS erhältlich

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Hochspannungs- und Stromhandhabungsfähigkeit

Ausgezeichnete Leistungseffizienz und niedrige Verluste

Robustes und zuverlässiges Design für anspruchsvolle Anwendungen

Breiter Betriebstemperaturbereich

Oberflächenmontageverpackung für einfache Integration

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB11NM60T4.

Produkteigenschaften STB11NM60T4 2N3773 PBFREE 2N3773G 2N3773
Artikelnummer STB11NM60T4 2N3773 PBFREE 2N3773G 2N3773
Hersteller STMicroelectronics Central Semiconductor Corp onsemi STMicroelectronics
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) 200°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Chassis Mount
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-204AA, TO-3 TO-204AA, TO-3 TO-204AA, TO-3
Serie MDmesh™ - - -
Typ FET N-Channel - - -
Supplier Device-Gehäuse D2PAK TO-3 TO-204 (TO-3) TO-3
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 160W (Tc) - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 25 V - - -
Vgs (Max) ±30V - - -
Grundproduktnummer STB11 - 2N3773 2N37
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 5.5A, 10V - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tray Bulk

STB11NM60T4 Datenblatt PDF

Laden Sie STB11NM60T4 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB11NM60T4 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
ST(B,P)11NM60(FP,-1).pdf
PCN -Design/Spezifikation
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

    Good comunication,
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  • Yaqu***l Ali
    2024/06/19

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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
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Italien 5
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Neuseeland 5
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Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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