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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTB12NK80ZT4
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STB12NK80ZT4 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB12NK80ZT4
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB12NK80ZT4
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Verpackung
D2PAK
Datenblatt
1.STB12NK80ZT4.pdf ...

Datenblätter

STx12NK80Z.pdf

PCN -Design/Spezifikation

D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
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Steuer- und Lieferkosten sind im Preis nicht inbegriffen, detailliert findet man ihn auf der Sendungsseite
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Spezifikation

STB12NK80ZT4 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB12NK80ZT4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB12NK80ZT4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5.25A, 10V  
Verlustleistung (max) 190W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2620 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10.5A (Tc)  
Grundproduktnummer STB12N  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STB12NK80ZT4

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET mit geringem Aufnahmebereich und Hochgeschwindigkeitsschaltfunktionen.

Produktfunktionen und Leistung

800 V Drain-to-Source-Spannung (VDSS)

750 mΩ Maximal On-Resistenance (RDS (ON)) bei 5,25a, 10 V

5a kontinuierlicher Abflussstrom (ID) bei 25 ° C

2620PF Maximale Eingangskapazität (CISS) bei 25 V

190W maximale Leistungsdissipation bei TC

Produktvorteile

Hervorragende Schaltleistung

Hochspannungs- und Hochstromabwicklungsfähigkeit

Niedrige vor Ort für hohe Effizienz

Breiter Betriebstemperaturbereich (-55 ° C bis 150 ° C)

Wichtige technische Parameter

N-Kanal-Mosfet

800 V Drain-to-Source-Spannung (VDSS)

± 30 V Maximale Gate-to-Source-Spannung (VGS)

5 V Maximale Gate -Schwellenspannung (VGS (TH)) bei 100a

87 NC Maximale Gate -Ladung (QG) bei 10 V

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

D2PAK -Paket für hohe Leistung und thermisches Management

Kompatibilität

Oberflächenmontagepaket (to-263-3, D2pak)

Geeignet für verschiedene Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen

Anwendungsbereiche

Netzteile

Motor fährt

Wechselrichter

Industrie- und Unterhaltungselektronik

Produktlebenszyklus

Aktuelles Produkt

Keine Pläne für die Absetzen

Bei Bedarf Ersatz- oder Upgrade -Optionen verfügbar

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Hochspannungs- und Stromhandhabungsfähigkeit

Niedrige vor Ort für hohe Effizienz

Hervorragende Schaltleistung für eine schnelle und zuverlässige Stromumrechnung

Breiter Betriebstemperaturbereich für vielseitige Anwendungen

ROHS3 Compliance für den umweltfreundlichen Gebrauch

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB12NK80ZT4.

Produkteigenschaften STB12NK80ZT4 12065A182GAT2A
Artikelnummer STB12NK80ZT4 12065A182GAT2A
Hersteller STMicroelectronics AVX Corporation
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 125°C
Serie SuperMESH™ -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Paket Tape & Reel (TR) -
Grundproduktnummer STB12N -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2620 pF @ 25 V -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount, MLCC
Verlustleistung (max) 190W (Tc) -
Vgs (Max) ±30V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V -
Supplier Device-Gehäuse D2PAK -
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 1206 (3216 Metric)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) -
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5.25A, 10V -
FET-Merkmal - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10.5A (Tc) -
Typ FET N-Channel -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V -

STB12NK80ZT4 Datenblatt PDF

Laden Sie STB12NK80ZT4 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB12NK80ZT4 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STx12NK80Z.pdf
PCN -Design/Spezifikation
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf
PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

    Good comunication,
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  • Yaqu***l Ali
    2024/06/19

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  • Lea ***
    2024/06/19

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Neuseeland 5
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Japan 4
Naher Osten Israel 6
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