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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTB23N80K5
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STB23N80K5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB23N80K5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB23N80K5
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 16A D2PAK
Verpackung
D²PAK (TO-263)
Datenblatt
1.STB23N80K5.pdf ...

Datenblätter

STB23N80K5.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
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Spezifikation

STB23N80K5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB23N80K5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB23N80K5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie MDmesh™ K5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 8A, 10V  
Verlustleistung (max) 190W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc)  
Grundproduktnummer STB23  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STB23N80K5

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Hochspannungs-N-Kanal-Leistungsmosfet

Teil der Mdmesh K5 -Serie

Produktfunktionen und Leistung

Drain-Source-Spannung (VDSS) von 800 V

Kontinuierlicher Abflussstrom (ID) von 16a bei 25 ° C

On-Resistenz (RDS (ON)) von 280 m Ω bei 8a, 10 V

Eingangskapazität (CISS) von 1000PF bei 100 V

Leistungsdissipation (PTOT) von 190 W bei 25 ° C

Produktvorteile

Hochspannungs- und Stromhandhabungsfähigkeit

Niedrige On-Resistenz für eine verbesserte Effizienz

Kompaktes DPAK (TO-263) -Paket

Wichtige technische Parameter

VDSS: 800 V

ID: 16A

RDS (ON): 280 mΩ

CISS: 1000PF

PTOT: 190W

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Arbeitet im Temperaturbereich von -55 ° C bis 150 ° C

Kompatibilität

Kann in verschiedenen Hochspannungs-Leistungsumwandlungs- und Kontrollanwendungen verwendet werden

Anwendungsbereiche

Stromversorgungsversorgung

Motor fährt

Wechselrichter

Industrie- und Unterhaltungselektronik

Produktlebenszyklus

Aktuelles Produkt, keine Informationen zum Absetzen oder zum Austausch

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Hochspannungs- und Stromhandhabungsfähigkeit

Niedrige On-Resistenz für eine verbesserte Effizienz

Kompaktes DPAK (TO-263) -Paket

Geeignet für eine Vielzahl von Hochspannungs-Leistungsumwandlungs- und Kontrollanwendungen

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB23N80K5.

Produkteigenschaften STB23N80K5 12061C272JAT2A
Artikelnummer STB23N80K5 12061C272JAT2A
Hersteller STMicroelectronics KYOCERA AVX
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 8A, 10V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie MDmesh™ K5 -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 100 V -
Verlustleistung (max) 190W (Tc) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V -
Grundproduktnummer STB23 -
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 1206 (3216 Metric)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 125°C
FET-Merkmal - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Vgs (Max) ±30V -
Typ FET N-Channel -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount, MLCC
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) -

STB23N80K5 Datenblatt PDF

Laden Sie STB23N80K5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB23N80K5 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STB23N80K5.pdf
PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

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  • Yaqu***l Ali
    2024/06/19

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    2024/06/19

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