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STB23NM60N - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB23NM60N
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB23NM60N
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
Verpackung
D2PAK
Datenblatt
1.STB23NM60N.pdf ...

Datenblätter

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RoHS Status
ROHS3 -konform
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Spezifikation

STB23NM60N Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB23NM60N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB23NM60N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 9.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Tc)  
Grundproduktnummer STB23N  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STB23NM60N

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Hochleistungs-N-Kanal-Leistungsmosfet im D2PAK-Paket

Produktfunktionen und Leistung

600 V Drain-Source-Spannung

19A kontinuierlicher Abflussstrom bei 25 ° C

Niedriges On-Resistenz von 180 Mohm

Schnelles Schalten und Ladung mit niedriger Gate

Robuste Lawinenfähigkeit

Geeignet für Hochfrequenzschaltanwendungen

Produktvorteile

Ausgezeichnete Leistungsdichte und Effizienz

Zuverlässige und dauerhafte Leistung

Geeignet für verschiedene Leistungsumwandlungs- und Motorsteuerungsanwendungen

Wichtige technische Parameter

Drain-Source-Spannung (VDSS): 600 V

Gate-Source-Spannung (VGS): ± 25 V

Vor Ort (RDS (ON)): 180 Mohm

Durchgangsabflussstrom (ID): 19a bei 25 ° C

Eingangskapazität (CISS): 2050 PF

Leistungsdissipation (PTOT): 150W

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

ESD -Schutz

Überstrom- und Überspannungsschutz

Kompatibilität

Oberflächenmontagepaket (D2PAK)

Geeignet für Hochfrequenzschaltanwendungen

Anwendungsbereiche

Netzteile

Motor fährt

Wechselrichter

Stromversorgungsversorgungen

Industrie- und Unterhaltungselektronik

Produktlebenszyklus

Dieses Produkt ist derzeit verfügbar und nähert sich nicht nähert sich ab.

Austausch- oder Upgrade -Optionen können bei STMICROELECTRONICS verfügbar sein.

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Ausgezeichnete Leistungsdichte und Effizienz für Hochleistungskraftumwandlungen und motorische Kontrolle

Zuverlässige und dauerhafte Leistung mit robusten Schutzmerkmalen

Geeignet für eine breite Palette von Anwendungen für Industrie- und Unterhaltungselektronik

Etablierter Ruf und technischer Unterstützung durch STMICROELECTRONICS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB23NM60N.

Produkteigenschaften STB23NM60N 0805YC561KAT2A
Artikelnummer STB23NM60N 0805YC561KAT2A
Hersteller STMicroelectronics KYOCERA AVX
Vgs (Max) ±25V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 50 V -
Serie MDmesh™ II -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount, MLCC
Supplier Device-Gehäuse D2PAK -
FET-Merkmal - -
Grundproduktnummer STB23N -
Typ FET N-Channel -
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 0805 (2012 Metric)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Tc) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V -
Verlustleistung (max) 150W (Tc) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 125°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 9.5A, 10V -

STB23NM60N Datenblatt PDF

Laden Sie STB23NM60N PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB23NM60N - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STx23NM60N.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

    Good comunication,
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    2024/06/19

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    2024/06/19

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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