Hersteller Teilnummer
STB45N65M5
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-Power-MOSFET im DPAK-Paket
Produktfunktionen und Leistung
Abflussspannung bis zu 650 V
Niedrige On-Resistenz bis 78 mΩ
Hohe Schaltgeschwindigkeit
Niedrige Torladung
Hohe Stromfähigkeit bis zu 35A
Produktvorteile
Ausgezeichnetes thermisches Management
Robustes Design
Hochleistungsdichte
Zuverlässige Leistung
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 650 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 78 mΩ
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 35a
Eingangskapazität (CISS): 3375PF
Leistungsdissipation (PD): 210W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
DPAK (TO-263) -Paket für eine verbesserte thermische Leistung
Entworfen und hergestellt nach qualitativ hochwertigen Standards
Kompatibilität
Oberflächenmontagepaket
Geeignet für verschiedene Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Netzteile des Switch -Modus
Motor fährt
Industriekontrollen
Haushaltsgeräte
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produktionsmodell
Bei Bedarf Ersatz- oder Upgrade -Optionen verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochspannung und Stromfähigkeit
Ausgezeichnetes thermisches Management
Zuverlässige und robuste Leistung
Kostengünstige Lösung
Bewährte Technologie eines vertrauenswürdigen Herstellers
STB45N50DM2AGSTMicroelectronics