- Jess***Jones
- 2026/04/17
Datenblätter
STB50N65DM6.pdfPCN -Verpackung
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| Anzahl | Einzelpreis | Zwischensumme Preis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.204 | $4.20 |
| 200+ | $1.627 | $325.40 |
| 500+ | $1.57 | $785.00 |
| 1000+ | $1.542 | $1,542.00 |
STB50N65DM6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB50N65DM6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB50N65DM6
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±25V | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) | |
| Serie | MDmesh™ DM6 | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 91mOhm @ 16.5A, 10V | |
| Verlustleistung (max) | 250W (Tc) | |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 100 V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52.5 nC @ 10 V | |
| Typ FET | N-Channel | |
| FET-Merkmal | - | |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 33A (Tc) | |
| Grundproduktnummer | STB50 |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | ROHS3 -konform |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB50N65DM6.
| Produkteigenschaften | ![]() |
![]() |
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|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | STB50N65DM6 | 2N3809 | 2N3809 | 2N3808 |
| Hersteller | STMicroelectronics | Solid State Inc. | Central Semiconductor Corp | Central Semiconductor Corp |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-78-6 Metal Can | TO-78-6 Metal Can | TO-78-6 Metal Can |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | - | - | - |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52.5 nC @ 10 V | - | - | - |
| Verlustleistung (max) | 250W (Tc) | - | - | - |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Bulk |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) | TO-78-6 | TO-78-6 | TO-78-6 |
| Typ FET | N-Channel | - | - | - |
| FET-Merkmal | - | - | - | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA | - | - | - |
| Grundproduktnummer | STB50 | - | 2N380 | 2N380 |
| Vgs (Max) | ±25V | - | - | - |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 100 V | - | - | - |
| Befestigungsart | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 91mOhm @ 16.5A, 10V | - | - | - |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 33A (Tc) | - | - | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
| Serie | MDmesh™ DM6 | - | - | - |
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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