Hersteller Teilnummer
STB6NK90ZT4
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungsrangige, ultraschnelle Switching-N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit sehr geringem Aufnahmebetrieb.
Produktfunktionen und Leistung
900 V Drain-to-Source-Spannung
8a kontinuierlicher Abflussstrom
2ω Maximal On-Resistenz
1350PF Maximale Eingangskapazität
140W maximale Leistung Dissipation
Extrem schnelles Umschalten
Geeignet für Hochfrequenzschaltmodus-Stromversorgungen und Motorantriebe
Produktvorteile
Außergewöhnlich niedrig auf Beständigkeit für hohe Effizienz
Schneller Schalter für den Hochfrequenzbetrieb
Hochspannungs- und Stromhandhabungsfähigkeit
Ausgezeichnete thermische Leistung
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 900 V
Maximale Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 30 V
Drain-to-Source On-Resistenance (RDS (ON)): 2ω
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 5.8a
Eingangskapazität (CISS): 1350PF
Leistungsdissipation (PD): 140W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Robustes D2PAK -Paket für Hochleistungsbeschaffung
Kompatibilität
Geeignet für Hochfrequenzschaltmodusversorgungen, Motorantriebe und andere Stromanträge
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgungen
Motor fährt
Leistungsumwandlungs- und Kontrollschaltungen
Industrie- und Unterhaltungselektronik
Produktlebenszyklus
Derzeit in Produktion
Keine bekannten Absachenpläne
Kompatible Ersatzteile oder Upgrades bei Bedarf verfügbar
Mehrere wichtige Gründe, um dieses Produkt auszuwählen
Außergewöhnlich niedrig auf Beständigkeit für hohe Effizienz
Schneller Schalter für den Hochfrequenzbetrieb
Hochspannungs- und Stromhandhabungsfähigkeit
Ausgezeichnete thermische Leistung
Robustes und zuverlässiges D2PAK -Paket
ROHS3 Compliance für die Umweltverantwortung
STB6NK60ZT4 MOSSTMicroelectronics